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RDA3560M RDA3565S RDA3565ES RDA3566 RDA3566A RDA3570 27MHz晶体 √ √ √ 25MHz 25MHz 25MHz Fin(接收频率范围) 9.75GHz-10.75GHz 9.75GHz-11.3GHz 9.75GHz-11.3GHz 9.75GHz-11.3GHz 10.75GHz-12.75GHz 5.15GHz-5.75GHz 芯片供给电压 4.5V-5.5V 5.5V-6.5 5.5V-6.5V 5.5V-6.5V 5.5V-6.5V 5.5V-6.5V 封装 4×4mm 24pin 4×4mm 24pin 4×4mm 24pin 3×3mm 20pin 3×3mm 20pin 3×3mm 20pin 功耗（供给电流） 600mW 600mW 600mW 360mW 360mW 450mW S11(输入反射系数） -8dBm -8dBm -8dBm -8dBm -8dBm -8dBm OP1dB 8dBm 8dBm 8dBm 8dBm 8dBm 8dBm S22（输出反射系数） -10dBm -10dBm -10dBm -10dBm -10dBm -10dBm * NFSSB(单边噪声系数） 10dB 9dB 9dB 9dB 9dB 9dB PN(相位噪声）100KHz -94dBc/Hz -94dBc/Hz -94dBc/Hz -91dBc/Hz -92dBc/Hz -96dBc/Hz 增益(dB) 36-41 42-46 37-41 30-42 30-42 38-41 * 除了表格中列出的参数外，另外还有累 积相位噪声密度（Φnλ ），镜像频道抑制比（IMRR ），转换增益（Gconv ），转换增益变化度（ΔGconv ），输出三阶 截取点（ OIP3），本地振荡器射频泄漏（ αL(RF)lo），中频本地振荡器泄漏（αL(IF)lo），本地振荡器频率调谐范围， IFOUT 杂散响应（ αresp(sp)IF_OUT）参数都会对芯片输出信号质量造成影响。 一般客户主要参阅的芯片参数就是上面表格所列出的主要参数。 就目前芯片已经已经量产的厂家有； 1RDA (北京锐迪科） 2 Sharp (夏普) 3NEC(日电) 4 NXP (恩智浦) 厂家间的芯片参数都有一些差异，他们芯片的一些重要参数对比如下 * 3.2.2、目前LNB方案厂家介绍和参数对比 QM1L1C0056（夏普） RDA3566 QM1L1C0038（夏普） RDA3566A LO频率(GHz) 9.75-11.3 9.75-11.3 10.7/12.75 10.75 IC供给电压 3.3V 5.5V-6.5V 3.3V 5.5V-6.5V 功耗 287mW 360mW 307mW 360mW Conv增益（dB） 30/34/38 30-42 38 30-42 NFSSB(噪声系数) 8.3dB 9dB 9dB 9dB OP1dB 1.2dBm 8dBm 1.2dBm 8dBm PN(相噪) （△100KHz） -95dBC/Hz -91dBc/Hz -91dBC/Hz -91dBc/Hz 封装 3.5×3.5mm 24pin 3×3mm 20pin 4×4mm 24pin 3×3mm 20pin * 与夏普(SHARP)LNB系列产品参数对比 TFF1015HN/N1(NXP) uPC3252T7L(NEC) RDA3566 RDA3566A LO频率(GHz) 9.75-10.6 9.75-10.75 9.75-11.3 10.7-12.75 IC供给电压 4.5V-5.5V 5V 5.5V-6.5V 5.5V-6.5V 功耗 280mW 350W 360mW 360mW Conv增益（dB） 39 40 30-42 30-42 NFSSB(噪声系数) 典型值7dB 6.5dB 9dB 9dB OP1dB 6dBm 5.2dBm 8dBm 8dBm PN(相噪)(△100KHz) ----------- -90dB -91dBc/Hz -91dBc/Hz 封装 3.4x2.4mm 16pin 4x4mm 24pin 3×3mm 20pin 3×3mm 20pin * 1、对比表中可以看出，在相同RFIN-F（接收频率）RDA的芯片工作电压都比夏普的高，这样导致整机的功耗也高.但是正是因为有高的工作电压使得RDA的LNB有最高高达42dB比夏最高38dB高出近4dB增益，高增益也就意味着有较高的灵敏度，这样在天气不好的情况或信号强度不大的情况下RDA的接收性能要比夏普的好。 在做推广时先看客户现做产品芯片的工作电压