第二章-氧化over次作业.pptVIP

掺Cl对速率常数B的影响：使B明显增大；掺Cl对速率常数B/A的影响：低浓度时增加明显，高浓度时饱和 机理：4HCl+O2 2H2O+2Cl2 掺氯对氧化速率的影响 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.1 杂质的分凝与再分布 分凝系数 m=杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度 B：0.1-1； P、As、Sb: 10； Ga：20 ； 四种分凝现象：根据m1、m1和快、慢扩散 （a)m1、 SiO2中慢扩散：B (b)m1、 SiO2中快扩散：H2气氛中的B (c)m1、 SiO2中慢扩散：P (d)m1、 SiO2中快扩散：Ga 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.2 再分布对Si表面杂质浓度的影响 影响Si表面杂质浓度的因素： ①分凝系数m ②DSiO2/DSi ③氧化速率/杂质扩散速率 1. P的再分布（m=10） CS/CB：水汽干氧 原因：氧化速率越快，加入 分凝的P越多，且P是慢扩散； CS/CB随温度升高而下降:P向Si内 扩散的速度加快。 2. B的再分布（m=0.3） CS/CB：水汽干氧 CS/CB随温度升高而升高。 原因：扩散速度随温度升高而提 高，加快了Si表面杂质损 耗的补偿。 改正：图2.23中纵坐标CB/ CS应为 CS/CB 2.5 热氧化的杂质再分布 2.6 薄氧化层 ULSI工艺中，栅氧化层小于30nm； D-G模型：当厚度小于30nm时，对干氧氧化不准确（对干氧氧化速率估计偏低）； 对水汽氧化精确。 2.6.1 快速初始氧化阶段 干氧氧化：有一个快速 的初始氧化阶段，即 x0*=(23±3)nm t*＝(A/B)x0* 氧化机理：目前尚不完全清楚。 湿氧和水汽氧化：t*＝0 主要内容 SiO2的作用（用途） SiO2的结构与性质 硅的热氧化生长动力学 影响氧化速率的因素 热氧化的杂质再分布 薄氧化层 Si-SiO2界面特性 应用在DRAM中的SiO2 SiO2的作用（用途） 用途： a.杂质扩散掺杂的掩蔽膜 b.器件表面保护或钝化膜 c.MOS电容的介质材料 d.MOSFET的绝缘栅材料 e.电路隔离介质或绝缘介质 SiO2制备：热氧化；淀积。 热氧化：SiO2质量好，掩蔽能力强。 2.1 SiO2的结构与性质 2.1.1. 结构 ①结晶形结构：如石英晶体（水晶），密度＝2.65 g/cm3 ②无定形（非晶形）结构：如SiO2薄膜，密度＝2.15- 2.25g/cm3 结构特点：（由无规则排列的Si-O4四面体组成的三 维网络结构),即短程有序，长程无序； Si-O4四面体:在顶角处通过氧（O)相互联结,构成三 维网络结构。 2.1 SiO2的结构与性质 Si-O4四面体中氧原子： 桥键氧－为两个Si原子共用，是多数； 非桥键氧－只与一个Si原子联结，是少数； 无定形SiO2网络强度：与桥键氧数目成正比，与非桥键氧数目成反比。 Si空位相对（O空位）困难：Si与4个O形成4个共价键，O最多形成2个共价键；Si在SiO2中扩散系数比O小几个数量级。 氧化机理：O、H2O穿过SiO2扩散到达Si表面反应。 2.1.2 主要性质 ①密度：表征致密度，约2.2g/cm3，与制备方法有关。 ②折射率:表征光学性质的参数， 5500?下约为1.46， 与制备方法有关。 ③电阻率：与制备方法及杂质数量有关，如干氧在 1016Ω·cm。 ④介电强度：表征耐压能力，106 —107 V/cm。 ⑤介电常数:表征电容性能， εSiO2=3.9 。 ⑥熔点：无固定熔点， 1700℃。（不同制备方法，其 桥键O数量与非桥键数量比不同） 2.1 SiO2的结构与性质 2.1 SiO2的结构与性质 ⑦腐蚀：只与HF强烈反应。 SiO2 + 4HF → SiF4 + 4H2O SiF4 +2HF→H2（SiF6） 总反应式： SiO2 +6HF → H2（SiF6）+ 4H2O 腐蚀速率：与HF的浓度、温度、 SiO2的质量 （干氧、湿氧）等有关。 2.2 SiO2的掩蔽作用 选择扩散：杂质在SiO2的扩散速度远小于在Si中的 扩散速度。 扩散系数:DSiO2=D0exp(-ΔE/k