IGBT电路工作演示稿解析.pptVIP

IGBT电路 工作原理 电路分析 工作原理 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 　 GTR电路分析 GTR是电流控制型器件，常用的是NPN型，其工作在正偏（IB0）时大电流导通；反偏（IB0）时处于截止。因此，给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。 静态分析 输出特性可分为四个工作区： 　　① 截止区。在截止区内，iB≤0，UBE≤0，UBC＜0。Ib=0，集电极只有漏电流流过。 　　② 放大区。iB ＞0， UBE ＞0，UBC＜0，iC =βiB。 　　③ 饱和区。iB ＞Ics/β，UBE＞0，UBC＞0，iCS是集电极饱和电流，其值由外电路决定。 ④临界饱和区。 UBE＞0， UBC＜0，Ic,Ib呈非线性关系。 　　结论：两个P