PN结二极管工作原理及制备工艺-公开课件.pptVIP

PN结二极管制备工艺 半导体二极管的伏安特性 工艺流程图 （0）准备 准备： 1、制备单晶硅片（平整、无缺陷） 涉及到知识：单晶晶生长、晶圆切、磨、抛。 （ 在形成单晶的过程中已经进行了均匀的硼掺杂） 2、硅片表面的化学清洗 涉及到知识：去除硅片表面杂质的方法及化学原理 （有机物、吸附的金属离子和金属原子的化学清洗） 晶体生长，晶圆切、磨、抛 (2) 涂胶 （3）曝光 （4）显影 （6）去胶 （7）杂质扩散 (8)驱入 (10)涂胶 (11)曝光mask2板 (12)显影 (13)腐蚀 （14）去胶 * 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 本征半导体（Intrinsic Semiconductor) 完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束