博士答辩稿-Chinese-公开课件.pptVIP

超深亚微米新器件结构研究和超浅结工艺模拟 答辩人：黎明 导师：王阳元 提纲 前言 第一部分：新器件结构设计与工艺研究 准SOI器件结构设计和模拟研究 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 氢氦注入在其他SON型器件方面的应用 第二部分：超浅结工艺模拟——U-LEACS 超浅结工艺和模拟方法介绍 U-LEACS中的物理模型 U-LEACS中的算法 模拟结果和实验结果的对比 总结 前言——What’s the problem? 摩尔定律继续前进，器件尺寸进入超深亚微米； 关态泄漏电流IOFF问题日益突出； ION和IOFF互相制约，体现了电路功耗和速度之间的矛盾； Trade-Off Between IOFF and ION is the must. 前言——What’s the solution? New Drive Force For Moore Law! 新结构器件 新工艺 What I will do? 准SOI器件和SON器件 超浅结工艺模拟 第一部分：新器件结构设计和工艺研究 超深亚微米器件优化设计方法 准SOI结构设计和模拟研究 利用氢氦注入制备SON器件的工艺研究 利用氢氦注入制备其他SON型器件方法 超深亚微米器件优化设计方法 超深亚微米器件优化设计方法 电学衬底的设计实例1： 部分SON MOSFET; 具有近似理想的亚阈值特性; 能够形成重掺杂源漏扩展区; 超深