量子级联激光器.pptx

1.量子级联激光器概述 2.量子级联激光器基本结构与工作原理 3.量子级联激光器材料研发 4.量子级联激光器相关应用 5.量子级联激光器存在问题及解决方法 6.量子级联激光器未来展望; 普通半导体激光器由于受到化学结构的制约，使其大约以相当于导带价带差的能量向外辐射光，因此不能发射中远红外范围的光。而于1994年，美国贝尔实验室发明的以GaInAs/AlInAs作为量子阱材料的量子级联激光器(Quantum Cascade Laser QCL)由于其在中红外光方面的表现而开创了具有基础性、战略性、前瞻性的半导体激光前沿领域。; 量子级联激光器是一种多层的量子阱结构，每一层结构包括一个注入区和一个激发区，其中激发区为三个耦合量子阱。这种激光器的光子产生依赖于电子能级在耦合量子阱中的台阶分布。当电子从一个高能级量子阱跃迁入另一个低能级量子阱中时将产生一个光子。从发光机理上看，这是一种新型激光器，因为其并不像普通激光二极管那样依赖电子与空穴的符合产生光子。;; 与传统半导体激光器不同，量子级联激光器是一种单极型激光器，只依赖一种载流子。在有外加电场的情况下，利用电子量子隧穿通过由一组耦合量子阱构成的注入区，到达由另一组耦合量子阱构成的有源区，导带激发态子能级电子共振跃迁到基态释放能量，发射光子并隧穿到下一级，成为下一级相似结构的注入电子。; ;;主要问题之一：;耦合三量子阱垂直跃迁有源区结构;１９９７年贝尔实验室提出超晶格有源区结构,电子在超晶格形成的微带中辐射跃迁产生，利用电子在微带内的快速弛豫实现粒子数反转。与量子阱有源区比较，超晶格有源区可承受更大的驱动电流，从而可获得大的输出光功率； ２００１年Ｆａｉｓｔ小组分析了量子阱有源区结构具有高注入效率的优势，但电子隧穿时间长、排空速度慢，而超晶格有源区结构则具有微带排空时间极快的优势，提出了由束缚态到连续态跃迁的新思路??;;主要解决方法：;综上所述QCL相对于一般半导体激光器具有以下特点：