奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题微电薄膜.ppt

( C ) 在CIGS吸收層的製備上有以下幾種方法，何者正確(A)多元素共蒸鍍(B)金屬前驅層硒化(C)皆正確 ( ) CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百分比可在 (A)1.17 ~1.20 (B) 2.17~2.20(C)3.17~3.20 eV之間調變 ( A ) CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百分比可在 (A)1.17 ~1.20 (B) 2.17~2.20(C)3.17~3.20 eV之間調變 ( ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區 (B) 本質區(C)異質區 ( A ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區 (B) 本質區(C)異質區 ( ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞 (B) 電子(C)相同 ( A ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞 (B) 電子(C)相同 ( C ) 高純度的半導體材料形成P型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 磷 (C) 硼 ( ) 高純度的半導