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（电子器件：2012.03.28.--2012.06.01.） *四类（深广） 第一篇 一般器件 第一章 稳压器件 §1.1 稳压二极管的特性参数 （Zener Diode） 一、结构特性 （为何PN组合不同于RP、RN串联？内建势垒及电导调制） [ UNP＞6V：雪崩击穿为主。UNP＜4V（E＞200kV/cm）：奇纳击穿为主。] （稳压特性：U微增 → I剧增） （∵ W＝∫F·dx ，即U＝∫E·dx，∴ E＝dU/dx，即E≈U/d ，d越小E越强) （∵Q＝CU＝U·εS/d，∴高掺杂→ n↑、Q↑→ d↓，结变薄） 稳压二极管：反向击穿后可逆。（普通二极管：不可逆。） 二、主要参数 稳定电压Uz，工作电流Iz，动态电阻rg，温度系数αT，耗散功率PM等。 (参看书上附表) §1.2 稳压二极管的应用举例 一、稳压电路 UL↑→Iz→UR↑→UL↓ （ 负载电流小：IL max＝ IZ max－ IZ min ） R作用：限制ID（在AB段）、调整电压。应满足如下边界条件： (Ui min－UL)／R ≥ Iz min＋ IL max （即≥A点，在入低出大时） (Ui max－UL)／R ≤ Iz max ＋ IL min （即≤B点，在入高出小时） Ui = UT + UL (a) ▲