CNT2FED中光刻工艺的研究-EDNChina电子技术设计.PDFVIP

VACUUM EL ECTRONICS 真空电子技术 ·场发射与真空微纳电子会议专辑 · CNTFED 中光刻工艺的研究 陈　静 ,杨夏喜 ,雷 　威 ,张晓兵 (东南大学 电子工程系 ,江苏 　南京 　210096) Investigation of Lithography Process in CNTFED CHEN Jing , YAN G Xiaxi , L EI Wei , ZHAN G Xiaobing ( ) Depart ment of Elect ronic Engineering , Southest U niversity , N anjin g 210096 , China Abstract : The authors use lithography technology to fabricate all kinds of ITO and electrodes’patterns in diode - type CN TFED. We mainly discuss the treatment of surface of ITO glass and process of lithography. We also discuss the factors of lithography , including the cleaning of substrate glass , the operating of lithography , the controlling of the exposure time , and the concentration of acid. By optimizing these processes , we have got the precise strips pattern required by the CN TFED and also the best conditions of lithography technology. Key words : Lithography ;CN TFED ; ITO 摘要 : 在碳纳米管场致发射显示器件结构中 ,需要采用光刻的方法制备各种不同的 ITO 图案和电极图案 。本文着重介 绍了 ITO 玻璃的表面处理和光刻过程 。实验中采用在紫外曝光条件下 ,对光刻工艺中影响其刻蚀结果分辨率的各种因素做 出了系统分析 。这些因素主要包括了对于感光胶的选择 ,玻璃表面的清洁度 ,丝网印刷工艺的操作 ,紫外光曝光时间的控制 , 酸腐蚀浓度 。通过优化实验工艺 ,得到满足精度要求的精细条纹 ,得出最佳的光刻条件 。 关键词 :光刻 ;碳纳米管场致发射显示器件 ; ITO 中图分类号 :TN27 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :1002 - 8935( 2006) 01 - 0015 - 03 ( ) 　　碳纳米管场致发射显示器件 CN TFED 是一 响到整个屏的质量 。在 CN TFED 二极结构中电极 种新兴的平板器件 ,它将阴极射线管的高质量图像 图形的形成过程是将涂有感光胶的 ITO 玻璃 ,放在 显示和液晶显示屏的轻薄优点聚集一身 ,有可能成 紫外光下 ,使感光胶中的感光物质重氮化吸收能量 , 为未来重要的大屏幕平板显示器件 。最简单的二极 形成重氮 自由基 ,和感光胶中的酚醛树脂发生化学 场致发射显示器由阴极板 、荧光屏和驱动电路等组 反应 ,使酚醛树脂的长链断开 ,形成了羧酸物质 ,使 成 。