巨磁电阻GMR三-北京大学物理学院.ppt

硬磁盘 硬磁盘可能的竞争对手 (垂直磁记录) 闪存 Flash MRAM 读写速度机械运动 连续磁介质 非连续磁介质 图形磁介质 热辅助垂直记录 氧化物存储 相变存储 高存储密度 读写速度快 无运动部件 完全是微电子工艺 闪存 Flash 价格偏高 读写循环次数少 寿命？ 浮动栅用量子点或纳米颗粒 发现了电致各向异性电阻、磁电阻效应 氧化物存储技术 有可能成为信息存储器件的新原理 SrTiO3 La0.67Ca0.33MnO3 R I 100nm A B 处理电脉冲 电阻变化 “1” “0” + - 大电流处理 小电流测量 首先通入大电流处理样品，然后撤掉处理电流，通入小电流沿不同方向测量电阻。发现和处理电流同向时电阻较小，反之电阻大的多。类似p-n结的整流行为。表明电致各向异性电阻效应。 相变存储技术 Tx：晶化温度 Tm：熔点 Tg：玻璃化温度 相变材料的特性： 从熔点冷却到室温形成非晶态；从室温升到晶化温度以上，低于熔点，冷却下来为晶态。 晶态电阻小(读为“0” )，非晶态电阻大(读为“1” )。 电极 相变材料 绝热层 绝热层 电极 大电流擦除；中电流写入；小电流读出 Tg Tm Tx 写入 读出 擦除 GeSbTe * 巨磁电阻和自旋电子学 詹文山 中国科学院物理研究所 磁学国家 重点实验室