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⒈ MOS管分类 PMOS管:结构简单，工作速度低，负电源工作。 NMOS管:工艺复杂，正电源工作。 CMOS管:PMOS管和NMOS管组成互补电路。 ⒉ 工作区 TTL: 截止 放大 饱和 CMOS: 截止 饱和 非饱和 相当开关电路: 断开 接通 CMOS门电路 MOS是金属-氧化物-半导体场效应管的简称 VN D S G S D G VP PMOS管 NMOS管 VGS＜VTP 时导通 取:VTP =－2V VGS＞VTN 时导通 取:VTN =2V 即:|VGS | ＞ |VTP |= 2V 时导通 MOS管的开关特性 栅极 源极 漏极 NMOS管驱动管 PMOS管负载管 CMOS反相器 VDD A F SP DN GP VP VN DP SN GN 漏极相连做输出端 PMOS管的衬底总是接到电路的最高电位 NMOS管的衬底总是接到电路的最低电位 柵极相连做输入端 ⒈电路 A=1 导通 截止 V０=0V 即F＝0 VDD A F VP VN 工作原理 设VDD＝10V，A＝1时，VA＝10V A＝0时，VA＝0 V VgsP=0 V VgsN=10 V CMOS反相器 A=0 截止 导通 V０=10V 即F＝1 VDD A F VP VN 设VDD＝10V，A＝1时，VA＝10V A＝0时，VA＝0 V VgsP=－10 V VgsN=0 V A VP VN F 0 导通 截止 1 1 截止 导通 0 结论： CMOS反相器 CMOS与非门 VDD VP2 VP1 VN2 VN1 A B F CMOS与非门电路 负载管并联 驱动管串联 VDD VP2 VP1 VN2 VN1 A B F A=0,B=0: 设VDD＝10V，A＝B＝1时，VA＝VB＝10V A＝B＝0时，VA＝VB＝0 V VgsP1= VgsP2 = －10 V VgsN1= VgsN2 = 0 V VN1、VN2：截止 VP1、VP2：导通 F=1 0 0 1 VDD VP2 VP1 VN2 VN1 A B F 设VDD＝10V，A＝B＝1时，VA＝VB＝10V A＝B＝0时，VA＝VB＝0 V 0 1 1 A=0,B=0: VN1、VN2：截止 VP1、VP2：导通 F=1 A=0,B=1: VN2、VP1：截止 VN1、VP2：导通 F=1 VDD VP2 VP1 VN2 VN1 A B F 设VDD＝10V，A＝B＝1时，VA＝VB＝10V A＝B＝0时，VA＝VB＝0 V A=0,B=0: VN1、VN2：截止 VP1、VP2：导通 F=1 A=0,B=1: VN1、VP2：截止 VP1、VN2：导通 F=1 1 0 1 A=1,B=0: VP2、VN1：截止 VN2、VP1：导通 F=1 VDD VP2 VP1 VN2 VN1 A B F 设VDD＝10V，A＝B＝1时，VA＝VB＝10V A＝B＝0时，VA＝VB＝0 V 1 1 0 A=1,B=1: VP1、VP2：截止 VN1、VN2：导通 F=0 A=0,B=0: VN1、VN2：截止 VP1、VP2：导通 F=1 A=0,B=1: VN1、VP2：截止 VP1、VN2：导通 F=1 A=1,B=0: VP2、VN1：截止 VN2、VP1：导通 F=1 CMOS或非门 电路： VDD VP2 VP1 VN2 VN1 A B F 负载管串联 驱动管并联 VDD VP2 VP1 VN2 VN1 A B F 设VDD＝10V，A＝B＝1时，VA＝VB＝10V A＝B＝0时，VA＝VB＝0 V A=0,B=0: VP1、VP2：导通 F=1 VN1、VN2：截止 VgsN1= VgsN2 = 0 V VgsP1= VgsP2 = －10 V 0 0 1 VDD VP2 VP1 VN2 VN1 A B F 设VDD＝10V，A＝B＝1时，VA＝VB＝10V A＝B＝0时，VA＝VB＝0 V A=0,B=0: VP1、VP2：导通 F=1 VN1、VN2：截止 0 1 0 A=0,B=1: VN1、VP2：截止 VP1、VN