K波段GaN功率放大器2.pdfVIP

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2019-06-06 发布于四川
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K波段GaN功率放大器2.pdf

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APN228 27-31 GHz GaN Power Amplifier Advance Datasheet Revision: May 2014 Applications  Point-to-Point Digital Radios  Point-to-Multipoint Digital Radios  SatCom Terminals Product Description X = 4.0mm Y = 4.0mm The APN228 monolithic GaN HEMT amplifier is a broadband, two-stage power device, Product Features designed for use in SatCom Terminals and  RF frequency: 27 to 31 GHz point-to-point digital radios. To ensure rugged  Linear Gain: 19.5 dB typ. and reliable operation, HEMT devices are  Psat: 41.2 dBm typ. fully passivated. Both bond pad and backside  Die Size: 16 sq. mm. metallization are Au-based that is compatible  0.2um GaN HEMT Process with epoxy and eutectic die attach methods.  4 mil SiC substrate  DC Power: 28 VDC @ 1.2 A Performance Characteristics (Ta = 25°C) Specification Min Typ Max Unit Frequency 27 31 GHz Linear Gain 18 19.5 dB