K波段GaN功率放大器1.pdfVIP

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2019-06-06 发布于四川
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K波段GaN功率放大器1.pdf

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APN149 18-23 GHz GaN Power Amplifier Advance Datasheet Revision: February 2014 Applications  Military SatCom  Phased-Array Radar Applications  Point-to-Point Radio  Point-to-Multipoint Communications  Terminal Amplifiers X = 4.4mm Y = 2.28mm Product Description Product Features The APN149 monolithic GaN HEMT amplifier  RF frequency: 18 to 23 GHz is a broadband, two-stage power device,  Linear Gain: 20 dB typ. designed for use in Point-to-Point and  Psat: 38 dBm typ. Multipoint Digital Radios, Military SatCom  Efficiency @ P3dB 30 % and Radar Applications. To ensure rugged  Die Size: 10.032 sq. mm. and reliable operation, HEMT devices are  0.2um GaN HEMT fully passivated. Both bond pad and backside metallization are Au-based that is compatible  4 mil SiC substrate wit