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PAGE 1 《半导体器件物理与工艺》 实验报告 姓 名： 李星炜 专业年级： 12级电科 1 班 学 号： 3126110018 指导老师： 阮凯斌 时 间： 2015年7月10日 实验一：半导体薄膜材料的制备 一、实验目的： 1、了解真空的获得方法和技术 2、掌握真空蒸发镀膜的方法和原理 3、了解半导体薄膜的制备方法 二、 实验内容 采用真空蒸发法制备半导体薄膜 三、实验仪器设备和材料清单 设备：真空镀膜设备 材料：无水乙醇，丙酮，玻璃基片等 四、实验原理 真空蒸镀薄膜是在真空条件下，将原材料蒸镀在薄膜基材的表面而形成复合薄膜的一种新工艺。任何物质在一定温度下，总有一些分子从凝聚态（固态，液态）变成为气态离开物质表面，但固体在常温常压下，这种蒸发量是极微小的。如果将固体材料置于真空中加热至此材料蒸发温度时，在气化热作用下材料的分子或原子具有足够的热震动能量去克服固体表面原子间的吸引力，并以一定速度逸出变成气态分子或原子向四周迅速蒸发散射。当真空高度，分子自由程远大于蒸发器到被镀物的距离d时（一般要求，材料的蒸汽分子在散射途中才能无阻当地直线达到被镀物和真空