微细加工与MEMS技术-张庆中-13-CVD.pptVIP

* 第 13 章 化学汽相淀积 在蒸发和溅射这些物理淀积方法中，粒子几乎直线运动，存在台阶覆盖问题。随着集成电路尺寸的不断缩小和纵横比的提高，使台阶覆盖问题更为突出。 此外，蒸发和溅射主要用于金属薄膜的淀积，不太适用于半导体薄膜和绝缘薄膜的淀积。 反应室 反应气体输入 SiH4 (1%浓度) 能量 Si 化学汽相淀积（Chemical Vapor Deposition，CVD ）是基于化学反应的薄膜淀积方法。以气体形式提供的反应物质， 在热能 、等离子体、紫外光等的作用下，在衬底表面经化学反应（分解或合成）形成固体物质的淀积。 废气排出 2H2 集成电路制造中所用的薄膜材料，包括介质膜、半导体膜、导体膜等，几乎都能用 CVD 工艺来淀积，例如 介质： SiO2、Si3N4、PSG、BSG、Al2O3、TiO2、Fe2O3 半导体：Si、Ge、GaAs、GaP、AlN、InAs、多晶硅 导体： Al、Ni、Au、Pt、Ti、W、Mo、WSi2 CVD 工艺的台阶覆盖性也很好。 CVD 的分类 1、按温度，有低温 ( 200 ~ 500oC)、中温 ( 500 ~ 1000oC) 和高温 ( 1000