第5章 场效应管及其基本放大电路.pptVIP

第5章 场效应管及其放大电路 2.工作原理 ①栅源电压VGS对iD的控制作用 ②漏源电压VDS对iD的影响 二、耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 场效应管与晶体管的比较 5.2 场效应管放大电路 5.2 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 NMOS管的低频小信号简化等效电路如图所示。 二、 动态分析 (2) 动态分析 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 例：已知UDD =20V、RD=3k?、 RS=1k?、 RG=500k?、UGS(off)= –4V、IDSS=8mA， 确定静态工作点。 解：用估算法 UGS = – 1? ID UDS= 20 – 2（ 3 + 1 ）= 12 V 列出关系式 解出 UGS1 = –2V、UGS2 = –8V、ID1=2mA、ID2=8mA 因UGS2 UGS(off) 故舍去 ， 所求静态解为UGS = –2V ID=2mA、 2. 分压式偏置电路 (1) 静态分析 + – +UDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 估算法： 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID; 由 UDS= UDD – ID(RD+ RS) 解出UDS 列出静态时的关系式 流过 RG 的电流为