半导体二极管PPT.pptVIP

第五章 半导体器件的基本知识 第一节 半导体二极管 了解半导体的基本知识； 了解二极管的结构、电路符号及类型； 了解二极管的单向导电性、主要参数及伏安特性； 了解整流二极管的电路组成及原理； 会用万用表检测二极管极性和质量优劣。 一、半导体基本知识 1、半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 主要材料：硅（Si）、锗（Ge） +14 2 8 4 +32 2 8 4 18 2、半导体的特性 1）对温度反应灵敏测试，比较如图所示 2）对光照反应灵敏，测试比较如图所示 a)遮光测试 b）不遮光测试 3）掺杂特性 在纯净的半导体中，掺入适量的杂质，会使半导体的导电能力有成百万倍的增长，使半导体获得了强大的生命力。人们正是通过掺入某些特定的杂质元素，人为地、精确地控制半导体的导电能力，将其制造成各种性质、用途的半导体器件。几乎所有的半导体器件（如二极管和三极管、场效晶体管、晶闸管以及集成电路等），都是采用掺有特定杂质的半导体。 3、P型半导体和N型半导体 空穴：当原子中的价电子在光照或者温度升高时获得能量挣脱共价键的束缚而 成为自由电子，原子中留下空位，则产生空穴。（即产生自由电子——空 穴对）此时，原子因失去价电子而带正电。 1）N型半导体：在单晶硅（或锗）中掺入微量的五价元素（例如磷），它主要靠自由电子导电，称为电子型半导体或N型半导体。 2）P型半导体：在单晶硅（或锗）中掺入微量的三价元素（例如硼），它主要依靠空穴导电，称为空穴型半导体或P型半导体。 4、PN结及其单向导电性 PN结：使半导体一边形成P型半导体，一边形成N型半导体，其交界面形成的特 殊结构称为PN结。 导电性：单向导电性，正向导通，反向截止。 VD导通，灯泡亮 VD截止，灯泡不亮 VD1导通，VD2截止，灯泡不亮 VD1导通，VD2截止，灯泡亮 考考你~~~ 二、二极管的结构、类型与电路符号 1、结构组成与符号 半导体二极管是由一个PN结加上电极引线和外壳封装而成。P区引出的电极称为阳极，或叫正极，用A表示；N区引出的电极称为阴极,或叫负极,用K表示。 a)外形结构 b）符号 2、分类 按结构不同分类：点接触型与面接触型 按芯片材料不同分类：硅二极管、锗二极管 按应用场合不同分类：普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开 关二极管等。 三、二极管的伏安特性 二极管伏安特性实验电路 伏安特性：二极管的电压-电流关系，称为伏安特性。 （一）正向特性 1）死区 当二极管所加的正向电压（又称正向偏置）较小时，正向电流IF很小，二极管呈现较大的电阻，称这个区域为死区。通常硅二极管的死区电压UF（又叫门限电压）约为0.5V，锗二极管的死区电压约为0.2V。 2）正向导通区 硅二极管约为0.7V，锗二极管约0.3V。这一区段，称为正向导通区。 二极管的伏安特性曲线 （二）反向特性 1）反向截止区 二极管两端加上反向电压时，在一定的电压范围内二极管只有很小的反向电流通过，大小几乎不变，该区域称为反向截止区。 2）反向击穿区 当二极管反向电压增加到一定数值时，反向电流突然增大，二极管失去了单向导电性，此时相对应的区间称为反向击穿区。 二极管的伏安特性曲线 四、半导体二极管的主要参数 1、最大整流电流 二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流 2、最高反向工作电压 二极管长期工作时，允许加到二极管上的最高反向电压。 五、二极管的型号命名 1）一般二极管的型号命名 （2）汽车用整流二极管型号命名 Z Q 数值 整流 汽车 表示额定正向平均电流值 六、二极管的识别与测试 1、识别法：通过二极管管壳上的标志来识别，有标记的一端一般为N极。 2、检测法 注意事项！ 1）用万用表不同的欧姆挡测试同一只二极管获得的阻值是不相同的，因为不同的挡，两表棒之间的端电压不同。 2）在测量小功率二极管时，不宜用电流较大的RX1挡或电压较高的RX10k挡，以免损坏二极管。 七、二极管的整流原理（单相半波整流电路） 1、电路组成：单向半