微电子器件(3-3)资料精.pdfVIP

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2019-06-14 发布于湖北
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微电子器件(3-3)资料精.pdf

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微电子器件(3-3)资料精

均匀基区相关知识点 I I pE pC I pr I I nr nE 相关公式 ∗ W 2 τ β 1 − B 1 − b 2 L2 τ B B D W N W ρ R γ 1 − E B B 1 − B E 1− 口E DB WE N E W E ρB R 口B 1 ⎛ W 2 ⎞⎛ R ⎞ W 2 R ⎜1 B ⎟⎜1 口E ⎟ 1 B 口E α − − ≈ − − ⎜ 2L2 ⎟⎜ R ⎟ 2L2 R ⎝ B ⎠⎝ 口B 1 ⎠ B 口B 1 −1 ⎛ W 2 R ⎞ β ≈⎜ B + 口E ⎟ ⎜2L2 R ⎟ ⎝ B 口B 1 ⎠ §3-3 缓变基区晶体管的放大系数 §3-3 缓变基区晶体管的放大系数以NPN 管为例，结电压为V 与V 。 BE BC 现代晶体管，如双扩散外延平面管属缓变基区晶体管，由于载流子在基区主要是以漂移运动在传输，故它又称为漂移晶体管。 0 N + x j