半导体器件物理复习纲要.docVIP

半导体物理基础 能带： 1-1什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？ 1-2试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。 1-4、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为： SKIPIF 1 0 和 SKIPIF 1 0 ；m0为电子惯性质量， SKIPIF 1 0 ；a＝0.314nm， SKIPIF 1 0 ， SKIPIF 1 0 ， SKIPIF 1 0 。 试求： ①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量。 题解： 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。 1-3、准粒子、荷正电：+q； 、空穴浓度表示为p（电