由吸收系数还是衰减系数的突变确定物质对X光的吸收边.PPT

由吸收系数还是衰减系数的突变确定物质对X光的吸收边 ? 单质锆的吸收截面和波长的关系 由衰减系数确定吸收限 把原坐标系向下移动个常量单位，然后把纵坐标乘以常量倍,得到新的图像即是衰减系数与波长的关系 做以上变换是因为衰减系数图像考虑了散射截面的影响。 与原图像相比只是经过了纵向平移和纵坐标伸缩变换,图像的形状没有发生改变,对应的吸收边也没有发生变化 结论：透射率直观反映了X光的衰减情况，所以建议实验书上以衰减系数来定义吸收边。 吸收系数的突然增大是衰减系数突变的原因，所以是在固定的对应的波长处发生这一突变。 考虑到我们在实验中也是通过透射率的突变确定吸收边，如下图所示 莫塞莱定律中的（X光的特征谱）可以用吸收边来代替吗？ 元素的标识谱 /特征谱 如果把各元素的特征X射线的频率的平方根对原子序数作标绘，就会得到线性关系。  当n=1层中出现一个空穴时，n=2层中的电子感受到的是Z-1个正电荷的作用向内层跃迁时，发出X光辐射。 产生KX射线的阈能大于KX射线本身的能量 。 什么是阈能？ 只有入射粒子能量等于或大于某一阈值时，反应才能发生，这个阈值称为该反应的阈能。 吸收系数在两侧有一个突变，它对应的能量是壳层移去一个电子所需的能量，也就是产生KX射线的阈能。 结论:可以用吸收边与原子序数的关系验证莫塞莱定律。 而KX射线的能量是电子从n=1到n=2层的能量差值，对应的是元素的标识谱。 由NaCl晶体衍射实验得到标识谱λαλβ 实验中求出钼的吸收边λ 相差不是很大，约为2.8% 用电离腔探测X射线中，电容器极板间的电压为什么只有140伏，一直达不到要求的300伏特，问题出在哪里？ 电压表的内阻为1M欧姆 ! 再测极板电压输出端的静电阻从1M欧姆到5M欧变化 拆开极板电源的盒子，发现电压输出端的电阻为1M欧姆电阻和4M欧姆电位器串联 用内阻为1M欧姆电阻的电压表测量电位器转到最大（电阻5 M欧）时的电压，就会出现问题 ! 当电源电压为450伏特，最大时输出端电压300伏特，并联了1M欧姆的电压表显示电压140伏特。这样就明白了原因在哪里。 谢 谢! * 如果用内阻较大（10M欧姆）的电压表测量，对原电路的影响可以忽略，问题就解决了。 现有器材精度并不理想 实现了定性地测量 得出了实验结论 极板电压较小时，I-U如欧姆定律一样成线性关系 随着加在电离腔两端的电压UC增大，出现电流饱和。 X光的高压增加后，X光的光子总数和能量都增加了，所以饱和电流值上升 第一图中的电压阈值比第二图中的大 饱和电流的大小反映了入射到电离腔的X射线的电离效果，正比于X射线的强度 故可以用此方法探测X射线的强度。 *