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GaAs的光电特性及GaAs太阳能电池研究报告 成都信息工程学院 材料性能学作业 材料物理092班 游富 摘要：(1)碑化铢是一种重要的半导体材料。属III— V族化合物半 导体。化学式GaAs,分子量144. 63,属闪锌矿型晶格结构，晶格常 数5. 65X10-10m,熔点1237°C,禁带宽度1?4电子伏。碑化镣于1964 年进入实用阶段。碑化镣可以制成电阻率比硅、错高3个数量级以上 的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、丫光子探 测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍，故在制作微波器件和高 速数字电路方面得到重要应用。用坤化傢制成的半导体器件具有高 频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可 以用于制作转移器件——体效应器件。碑化铢是半导体材料中，兼具 多方面优点的材料，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性 差，不适宜制作大功率器件。虽然碑化镣具有优越的性能，但由于它 在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要 求比车父冏O 光电效应是指在光照照射后释放电子的效应，发射出来的电 子叫做光电子。光电效应是光与材料的核外电子之间的相互作用。只 有当入射光的频率高于材料的极限频率时，材料才会发射光电子，产 生光电子。光电效应是瞬时效应，一经光线照射，立刻产生光电子。 GaAs光电阴极在进行CS2O激活前，激活层表面必须达到原