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第 3 章 通信用光器件 3.1 光源 在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作 用， 也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释 放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发 辐射。自发辐射速率为： E2能级上的电子数密度为N2 rsp为从E2跃迁到E1的自发发射几率 例如，某半导体激光器腔长L=300 μm，n=3.5，λ=1.31 um，则由(3.5)式可求出q=1603。 q的一系列取值对应于沿谐振腔轴向一系列不同的电磁场分布状 态，一种分布就是一个激光器的纵模。腔内的纵模很多只有那些 有增益且增益大于损耗的模式才能在激光的输出光谱中存在。若 只剩下一个模称为单纵模激光器，否则称为多纵模激光器。相邻 两纵模之间的频率之差:（可见纵模在频率轴上是均匀分布的p109）  （2）横模：谐振腔在横截面内的电磁场结构 可以用TEMmnq代表谐振腔内的谐振模式，q为纵模 序数，m和n是横模序数决定横截面内场分布的驻波 波节点数。 一般希望工作在基横模状态，即仅有TEM00q起振， 对于一个纵模序数q对应一条谱线；如果有多个横模 可以工作则对于纵模序数q对应的是一组频率差很小 的谱线。p110 DH激光器工作原理 由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后， P层的空穴和N层的电子注入有源层。 P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。 同理， 注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。 这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.1~0.3 μm的有源层内形成粒子数反转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益。 另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作。  实际产品参数列表 LED的结构与分类 直接带隙材料、间接带隙材料 直接带隙，是指导带最低点和价带最高点具有同样的波矢，在电子的跃迁中动量保持不变 间接带隙的半导体导带最低点和价带最高点所对应的波矢是不同的，电子在跃迁的过程中动量发生变化，要想保证跃迁过程中动量守恒，就必须有一个声子参与此过程，这时产生非辐射复合不发光，电子能量转化为晶格振动能量。常见的硅就是间接带隙材料。 根据光输出位置不同可分为面发射型LED和边发射型LED LED的P__I特性曲线 3dB电带宽：角频率 时，交流功率减少到低频时的0.707 3.2光放大器 光放大器：解决功率导致的传输距离限制问 题，不解决带宽限制问题（不做信号的重构） 通常分为两类：半导体激光放大器 光纤放大器 3.2.1半导体激光放大器（SOA） 原理：利用处于粒子反转的半导体PN结对光的增益 效应来实现对光信号的放大。 如果反射受到抑制或r1=r2=0变成能适合不同波长的 光放大器,称为行波放大器（TWA） 如果存在反射或r1=r20，称为窄带的F-P型谐振放 大器 半导体激光放大器（SOA）的几个参数 1、增益G 式子中：Pout，Pin分别为放大器输出端与输入端的 连续信号功率。 半导体激光放大器（SOA）的几个参数 2、噪声系数，定义为 (SNR)in是检测输入到光放大器上的光波时的电等效信噪比。 (SNR)out是放大器输出光波的电等效信噪比。 粒子完全反转时nsp=1,不完全反转nsp1,可见理想放 大器被放大的光信号信噪比也降低了3dB，大多数半导体光 放大器的NF在8dB左右。 3.2.2掺铒光纤放大器(EDFA) 工作原理：在光纤中掺杂三价铒离子形成掺 铒光纤，在未受激励时电子处在基态较多， 经泵浦源的作用，工作物质粒子由低能级跃 迁到高能级(一般通过另一辅助能级)，在一定 泵浦强度下，得到了粒子数反转分布而具有 光放大作用。 图4.26: 1、第一激发态与基态之间的能量差对应波长为1550nm的光子能量，同时会有部分粒子以自发辐射跃迁到基态，产生自发辐射噪声。 2、吸收系数最大的是980nm,其次是1480nm,这些频率的光可用来泵浦EDFA。 EDFA结构 EDFA的增益 EDFA的增益依赖于放大器的掺杂浓度、掺铒光纤长度、泵 浦功率、泵浦波长。（p122） 掺杂浓度越高，单位长度的增益越大 泵浦光功率愈大，功率增益愈大 光纤越长功率增益愈大…. 信号愈大，功率增益越小，直到饱和 EDFA的噪声特性 理想情况，放大器噪声系数为3dB 980nm泵浦的EDFA，在泵浦