电工和电子技术-第6章 半导体元件特性.pptVIP

* 化学工业出版社 * 第6章 半导体器件 学习要点 半导体的基础知识 半导体二极管 半导体三极管 场效应管 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。 半导体的特点： 在晶体结构的半导体材料中，通过掺杂方法可以控制其导电性能，具有光敏、热敏等特性，这些特性使半导体材料成为各种电子器件的基础。 6.1 半导体基础知识 6.1.1 半导体的特点 半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚成为自由电子，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧，因此，半导体的导电特性介于二者之间。常用的半导体材料是硅、锗和砷化镓等。 完全纯净的、结构完整的晶体半导体，称为本征半导体。 在晶体结构中，原子排列具有有序性，相邻两个原子的一对最外层电子(价电子)成为共有电子，它们一方面围绕自身的原子核运动，另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上。即价电子不仅受到自身原子核的作用，同时还受到相邻原子核的吸引。于是，两个相邻的原子共有一对价电子，组成共价键结构。 共价键中的价电子受共价键的束缚。在室温或光照下，由于热运动，少数价电子可以获得足够的能量摆脱共价键的束缚而成为自由电子，同时必然在共价键中留下空位，称为空穴，这种空穴带正电 。 6.1.2 本征半导体 图6-1 本征半导体结构示意图 图6-2 本征半导体中的载流子 共价键 自由电子 空穴 半导体中存在着两种载流子：自由电子和空穴。本征半导体中，自由电子与空穴是同时成对产生的，因此，它们的浓度是相等的。 在本征半导体中，掺入微量五价元素，如磷、锑、砷等，可形成N型半导体。 由于五价杂质原子可提供自由电子，故称为施主原子。N型半导体中，自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。 6.1.3 杂质半导体 1. N型半导体 自由电子 施主原子 在本征半导体中，掺入微量三价元素，如硼、镓、铟等，可形成P型半导体。 由于三价杂质原子容易吸收电子，故称为受主原子。P型半导体中，空穴称为多数载流子，自由电子称为少数载流子。 2. P型半导体 受主原子 空穴 同一个半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，在它们的界面处形成PN结，PN结具有单向导电性。 1. PN结的形成 6.1.4 PN结 当P型半导体和N型半导体制作在一起时，由于交界两侧半导体类型不同，存在电子和空穴的浓度差。P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。由于扩散运动，N区失掉电子产生正离子，P区得到电子产生负离子，在P区和N区的接触面就产生正负离子层，称为空间电荷区。 当多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动达到动态平衡时，形成稳定的空间电荷区，即形成PN结。 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 PN结的形成 空间电荷区 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 PN结的形成 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。 内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 PN结的形成 扩散和漂移达到动态平衡时空间电荷区稳定 2. PN结的单向导电性 PN结正向偏置时，外加电场与内电场方向相反，当外电场大于内电场时，外加电场抵消内电场，使空间电荷区变窄，有利于多数载流子运动，形成正向电流I。外加电场越强，正向电流I越大，这意味着PN结的正向电阻变小，PN结处于导通状态。 给PN结加正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，此时称PN结为正向偏置。 1）PN结的正向导通特性 给PN结加反向电压，即电源正极接N区，负极接P区，称PN结反向偏置这时外加电场与内电场方向相同，使内电场的作用增强,，PN结变厚，多数载流子运动难于进行，有助于少数载流子运动，形成电流IS，少数载流子很少，所以电流很小，接近于零，即PN结反向电阻很大，PN结处于截止状态。 给PN结加反向电压，即电源正极接N区，负极接P区，称PN结反向偏置。 2） PN结的反向截止特性 PN结的单向导电性 2. PN结的击穿特性