氧化物及电解液系统对AgInSe2光敏化太阳能电池效率的影响陈龙泉.docVIP

氧化物及電解液系統對AgInSe2光敏化太陽能電池效率的影響 陳龍泉、張家碩 崑山科技大學高分子材料系 摘要 本實驗以1000rpm旋轉速率於ITO上塗佈P25、ST-01、ZnO、SnO2、Nb2O5五種氧化物，再以電沉積方式於五種氧化物上成長AgInSe2，電沉積45min，沉積電壓:-1.0V vs Hg/HgSO4，工作面積0.5cm2，煅燒速率:溫度1℃/min真空下250℃持溫一小時，乾燥溫度100℃，討論物理性質並應用於半導體敏化式太陽能電池之研究。由XRD分析得知氧化物的結晶點。由UV-Vis分析結果得知P25樣品能帶間隙為3.41eV及3.25eV、ST-01樣品能帶間隙為3.23eV、Nb2O5樣品能帶間隙為3.45eV、SnO2樣品能帶間隙為3.62eV、P25樣品能帶間隙為3.29eV及3.20 eV。在Co離子濃度為0.3M時，Co2+:0.273M、Co3+:0.027M，有最好的光電轉換效率。根據不同氧化物所量測出的I-V轉換效率，其中P25效率0.039%與SnO2效率0.023%，且前者效率較後者效率增加60%。浸泡時間對I-V效率的影響，電沉積AgInSe2浸泡時間，最佳效率為浸泡15min之樣品，其效率可達0.056%。煅燒溫度對I-V效率的影響，450℃為ITO-TiO2樣品的最佳煅燒溫度，顯現最高的光催化性能。氧化物層數對I-V效