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- 2019-06-12 发布于广东
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9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.3 PN结及其单向导电性 一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 9.2 半导体二极管 9.2.1 基本结构 9.2.2 伏安特性 9.2.3 主要参数 二极管电路分析举例 9.3 稳压二极管 3. 主要参数 9. 4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 9.4.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 9.4.4 主要参数 1. 电流放大系数,? IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB , IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化,是CCCS器件。 +
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