太阳能光电材料及物理基础.ppt

* 开路电压 在pn结开路情况下，电阻无穷大，此时pn结两端的电压为开路电压，负载上的总电流为0，通过电流电压方程 开路电压的大小取决于短路电流和饱和电流，短路电流变化较小，关键在于饱和电流，饱和电流取决于复合效应 最大开路电压（AM=1.5)为720mV,一般的商业硅体电池为600mV。 I0=Aq(Dnn0p/Ln + Dpp0n)/Lp) 饱和电流与扩散系数， 扩散长度，少子浓度等 有关，概括起来就是 复合效应 * IV曲线 正向偏压下的 电流电压曲线 * 填充因子 dp/dv=0 测量IV曲线求填充因子 填充因子是太阳能 电池品质的量度。 我们的目标是让 它尽可能接近1， 但是它的pn结特性 会阻止我们接近1， 大部分位于60%-85% 之间。 * 光电转换效率 Pmax=VocIscFF η=Pmax/Pin =VocIscFF /Pin Pin是太阳能光谱中所有光子的积分,FF为填充因子 * 影响电池效率的几大因素 禁带宽度 温度 少子寿命 光强 掺杂浓度及剖面分布 表面复合速率 串联电阻和并联电阻 金属栅线和光反射 * 禁带宽度 能带间隙（禁带宽度）增大，使得产生光生载流子的光子数减少，导致短路电流减少 但另一方面，开路电压随能带间隙的增大而增大 带隙对转换效率的影响是双方面的 * 温度 随着温度的增加，少子寿命变短，效率η下降 Si材料温度每增加1?C， VOC下降室温值的0.4%，?也因而降低约同样的百分数 例如，一个硅电池在20?C时的效率为20%，当温度升到120?C时，效率仅为12％。又如GaAs电池，温度每升高1?C，VOC降低1.7mV 或降低0.2%。 * 少子寿命 少子寿命越长越好，这主要是因为这样做ISC大。 在间接带隙半导体材料如Si中，离结100?m处也产生相当多的载流子，所以希望它们的寿命能大于1?s。 在直接带隙材料，如GaAs，只要10ns的复合寿命就已足够长了。长寿命也会减小暗电流并增大VOC。 达到长寿命的关键是在材料制备和电池的生产过程中，要避免形成复合中心。（减反膜与p,n之间加钝化层，控制杂质浓度，底层重掺杂加速载流子输运） * 光强 将太阳光聚焦于太阳电池，可使一个小小的太阳电池产生出大量的电能。设想光强被增大了X倍，单位电池面积的输入功率和JSC都将增加X倍，同时VOC也随着增加(kT/q)lnX倍。因而输出功率的增加将大大超过X倍，而且聚光的结果也使转换效率提高 。 过高会造成电池温度过高，损坏电池，降低少子寿命，效率降低 * 掺杂浓度 掺杂浓度在适当范围内会增加开路电压，过大减少少子寿命，不利于电池的填充因子。 目前，在Si太阳电池中，掺杂浓度大约为1016cm-3，在直接带隙材料制做的太阳电池中约为1017 cm-3，为了减小串联电阻，前扩散区的掺杂浓度经常高于1019 cm-3，因此重掺杂效应在扩散区是较为重要的。 当Nd和Na或不均匀且朝着结的方向降低时，就会建立起一个电场，其方向能有助于光生载流子的收集，因而也改善了ISC。这种不均匀掺杂的剖面分布，在电池基区中通常是做不到的；而在扩散区中是很自然的。 * 串联电阻和并联电阻 串联电阻：PN结收集的电流必须经过表面薄层再流入最靠近的金属导线，这就是一条存在电阻的路线，显然通过金属线的密布可以使串联电阻减小。 并联电阻：缺陷少 * 金属栅和光反射 在前表面上的金属栅线不能透过阳光。为了使ISC最大，金属栅占有的面积应最小。为了使RSh小，一般是使金属栅做成又密又细的形状 因为有太阳光反射的存在，不是全部光线都能进入Si中。裸Si表面的反射率约为40%。使用减反射膜可降低反射率。对于垂直地投射到电池上的单波长的光，用一种厚为1/4波长、折射率等于 n0.5（n为Si的折射率）的涂层能使反射率降为零 制绒 * PN结的形成 P区 N区 扩散运动 载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运动 形成的电流成为扩散电流 内电场 内电场阻碍多子向对方的扩散 即阻碍扩散运动 同时促进少子向对方漂移 即促进了漂移运动 多子扩散运动=少子漂移运动时 达到动态平衡 * 内电场阻止多子扩散 因浓度 差 多子的扩散运 动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成 内电场 内电场促使少 子漂移 扩散运动 多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动 扩散运动产生扩散电流 漂移运动 少子向对方漂移,称漂移运动 漂移运动产生漂移电流。 动态平衡 扩散电流=漂移电流，PN结内总电流=0。 PN 结 稳定的空间电荷区 又称高 阻区 也称耗 尽层 PN结的形成 动画二 * V? PN结的接触电位 内电场的建立，使PN结中产生电位差。从而形成接触电位V? 接触