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(设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等)
设备用途
可实现氧化硅、氮化硅、非晶硅(n+ a-Si:H和intrinsic a-Si:H)等介质薄膜的化学气相沉积。
投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。
设备规格
反应腔体:
腔体由整块铝锭加工制成、无焊缝、低漏率。
真空窗口,可观察腔体内部状况。
上电极:
铝制电极。
配备气体喷淋环。
下电极:
铝制电极。
直径不小于200mm。
可承载6英寸晶圆或4x4 cm玻璃片。
采用电阻式加热温控装置,晶圆最高温可达350℃。
射频电源:
采用进口射频电源,功率不低于300W,频率为13.56MHz,可自动进行匹配。(国际知名品牌例如:AE、ADTEC等)
反应气体模块:
*工艺气体:至少配置6路。
采用进口质量流量控制器(MFC),精准度1%。(国际知名品牌例如:MKS、Brooks等)
采用美国Swagelok气动截止阀。
采用1/4 SUS316电抛光EP管及VCR接头。
真空测量控制系统:
采用进口真空计,可进行等离子体工艺压力读取与控制。(国际知名品牌例如:Edwards、Inficon、MKS等)
反应腔体抽真空系统:
*采用进口干泵。(国际知名品牌例如:Alcatel、HanBell、Edwards等)
6min内,反应腔体可从大气抽真空至5E-2 Torr。
配备自动压力控制装置(APC)。
自动控制系统:
全自动智能化控制软件,并可切换为手动控制,可一键控制真空泵抽气及排气以及所有挡板及阀门。
工艺要求
SiO2沉积工艺:
*沉积速率:≥ 40 nm/min
*片内厚度均匀性:≤ ± 3%(6英寸)
*片间厚度重复性:≤ ± 3%
折射率:1.45±0.05
薄膜应力:≤ 300 MPa
BHF刻蚀速率:≤ 300 nm/min (+25oC,10:1)
Si3N4沉积工艺:
*沉积速率:≥ 30 nm/min
*片内厚度均匀性:≤ ± 5%(6英寸)
*片间厚度重复性:≤ ± 3%
折射率:1.95±0.05
薄膜应力:≤ 300 MPa
BHF刻蚀速率:≤ 100 nm/min (+25oC,10:1)
intrinsic a-Si:H沉积工艺:
*片内厚度均匀性:≤ ± 5%(6英寸)
用户培训
交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程,训练课程包含介绍系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养及实际操作训练。
提供中文和英文标准作业流程(SOP)纸本各两份与电子文件。
提供简易工具箱,以方便未来设备维修使用。
交货日期
合同签订后4个月可以完成交货。
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