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光刻工艺介绍1 General Photolithography Process 涂胶/显影概况 涂胶菜单 涂胶基本流程 HP：HOT PLATE IND：INDEXER AH：ADHESION CHAMBER WITH HP AC：ADHESION CHAMBER WITH CP SC：SPIN COATER TR：TRANSFER UNIT 涂胶前处理（Priming） HMDS 目的：增加圆片衬底与光刻胶的粘附性 原理：将圆片表面状态由亲水性转变为疏水性(亲油性) 化学试剂：HMDS (六甲基二硅胺) 气相涂布方法：高温低真空下的HMDS单片处理模块 确认HMDS的效果用接触角计测量，一般要求大于65度 前处理注意事项： 来片衬底必须是干净和干燥的 HMDS处理后应及时涂胶 HMDS处理不能过度 安全使用HMDS 涂胶（Coating） 涂胶就是采用旋转涂敷的方法，在圆片衬底上均匀的涂上一层一定厚度的光刻胶。 旋转涂敷主要受到以下几个因素的影响，它们彼此作用，或相互增强或相互减弱结果 光刻胶的流动性 光刻胶中树脂成份中分子间的束缚力 旋转离心力 光刻胶溶剂的挥发力 涂胶（Coating） ☆涂胶的关键在于控制膜厚及其均匀性 影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数：[括号内的值为 实际工艺参数设置] 环境温度（23°C) 环境湿度(40%) 排风净压力(5 mmaq) 光刻胶温度(23°C+/-0.5） 光刻胶量（1.2-1.5cc) 旋转马达的精度和重复性 回吸量 预旋转速度 预旋转时间 最终旋转速度 最终旋转时间 最终旋转加速度 涂胶——均匀性的影响因素(1) 涂胶——均匀性的影响因素(2) 软烘（Soft Bake） 软烘目的： 去除光刻胶中的溶剂 增加粘附性 提高E0的稳定性 减少表面张力 软烘方法： 热对流烘箱 红外线辐射 接触式（接近式）热板 软烘的关键控制点是温度和时间(90℃/60s) 显影基本流程 HP：HOT PLATE CP：COOLING PLATE IND：INDEXER SDP：SPIN DEVELPER TR：TRANSFER UNIT 显影菜单（DNS 5#）介绍 显影前烘焙（Post Exposure Bake） 目的：降低或消除驻波效应 PEB温度一般要求比软烘高15-20°C PEB一般采接近式热板烘焙 PEB的关键控制点是温度与时间 的工艺条件为：112℃/60s 驻波效应（Standing Wave） 驻波效应原理： 由于入射光与反射光产生干涉使沿胶厚的方向的光强形成波峰和波谷产生的 Footing and Undercut 显影（Develop） 目的： 简单的说就是去除已曝光部分的光刻胶 显影方法： 浸润显影（TANK） 喷雾显影（SPRAY） 静态显影（PUDDLE） 影响显影的因素： 显影液成份、显影液温度 环境温度、环境湿度 显影液量、显影方式、程序 坚膜（Hard Bake） 目的： 去除残余的显影液、水、有机溶剂 提高粘附性 预防刻蚀时胶形貌变形 方法：接近式热板 控制关键点是温度和时间 的工艺条件为：112 °C/60s PR/HMDS影响 PR厚度，粘性系数；HMDS 处理是否恰当、温度设置、HMDS原料等，都是影响显影缺陷的因素 脱胶原因 1.圆片表面潮湿或者不干净 2.HMDS管道板堵 3.没有做HMDS处理 4.AH/HP板温度异常 5.Metal层次涂胶时间过长 常见Track异常-显影缺陷 常见Track异常 Step-and-Repeat System Stepper Introduce NIKON机光路图 Reticle Blind 漏光对Mask图形的影响 产品的异常表现 Depth Of Focus IDOF、UDOF Image Defocus Defocus Effect Focus-Exposure Matrix Defocus 产生的原因 Particle Edge, OF Effect Auto Focus Auto Leveling 边缘效应 边缘效应 Auto Focus Auto Focus Auto Leveling Auto Leveling Auto Leveling Auto Leveling(III) 常见聚焦不良 STAGE颗粒/圆片背面颗粒导致聚焦不良 常见聚焦不良 STAGE颗粒/圆片背面颗粒导致聚焦不良 Alignment Process 初始化基准标记位置 (Found Coordinates) 光刻版对位 (Align to Fiducial Mark) 圆片对位 (Base on