一维与二维约瑟芬结阵列中的量子相变-物理学会.DOCVIP

■ PAGE 633■ 物理雙月刊（廿四卷五期）2002年10月 一維與二維約瑟芬結陣列中的量子相變 郭華丞 陳啟東 中央研究院物理所 E-mail: chiidong@iis.sinica.edu.tw 摘 要 約瑟芬結組成的一維及二維陣列，具有由磁場所引發的超導-絕緣體相變。此相變的臨界磁場，和電流電壓特性曲線中所觀察到庫柏電對的庫倫阻斷及約瑟芬電流，可相互對應。理論上可利用一維及二維的超流-絕緣體理論來分析實驗上測量的電阻訊號。相變的度規分析提供我們該相變的臨界指數。這些結果可以提供我們一維約瑟芬結陣列中超導-絕緣體相變的相圖。該相圖以約瑟芬耦合能與電荷能間的比值強度和耗散強度兩種參數來表示。 低維度超導系統 由於元件製程技術的進步，超導物理近年來的研究，也朝向小尺寸，低維度的方向發展。最近研究的系統包括二維超導薄膜，一維超導奈米線，一維約瑟芬結(Josephson junction) 陣列[1,2]，奈米超導量子點等等[3]。低維度超導系統具有超導量子相變和磁通量子漲落等等有趣的物理現象。而約瑟芬結(Josephson junction) 陣列則是一人為製造出來，可供我們觀察了解低維度超導性質的物理系統。這種人為製作的系統，具有易於掌控其物理參數，並能規則性的製作等優點。這些可調整的參數包括有陣列的大小，約瑟芬結的尺寸及穿隧電阻，結與結之間的距離，和使用的超導材料等等。由於有更多的物理參數可以人為操控，這是一研究量子相變的理想系統。 約瑟芬結陣列的製作 陣列是由大小約零點一微米的約瑟芬結組成。使用這種大小的約瑟芬結，是為了能在低溫中顯現出其電荷效應(charging effect)。一般而言，這種尺寸的約瑟芬結，仍然要將溫度降低於1K才能觀察到其電荷效應。目前必須利用電子束曝光蝕刻術[4]，方能製作如此微小並規則排列的電子元件。電子束曝光蝕刻術和黃光製程相近：在基板上旋舖電子阻劑，並烤至乾燥。將所需要的圖形經過電子束曝光後，可用顯影劑將受曝光的阻劑移除。此時殘存的電子阻劑即形成遮罩。將整個晶片蒸鍍金屬材料，只有受曝光的區域能夠附著於基板上，其他的部分會被遮罩擋住。最後將殘餘的電子阻劑和其上的金屬膜以溶劑舉離(liftoff)便完成。 通常所選用的超導材料為鋁。一方面因為鋁的蒸鍍溫度不至於過高而破壞電子阻劑，另一方面鋁的氧化物可以作為高品質的穿隧結絕緣層。其缺點是薄膜鋁的超導溫度較低，約1至2K。穿隧電阻的大小是由通氧時的壓力與時間來控制。一般會控制其大小接近量子電阻，RQ?h/4e2=6.5kΩ。電阻太低則瑟芬結耦合太強，無法觀察其絕緣體的特性﹔反之則瑟芬結耦合太弱，超導特性會消失。相對的如果瑟芬結面積太小則電荷效應太強，整體超導特性會消失﹔反之則電荷效應太弱，絕緣體的特性不能表現出來。陣列的大小則取決於電子束曝光的極限。以我們目前所使用的電子顯微鏡改裝的電子束曝光機而言，700倍的視野約為100?100微米見方。 約瑟芬結陣列的電性量測 由於鋁的超導溫度和約瑟芬結的電荷效應，都要在1K左右才會出現。一般約瑟芬結陣列需要置於稀釋冷凍機中，達到mK的環境中量測。量測電流產生的焦耳熱不能太大，此外由於約瑟芬結的尺寸極為微小，所量測的電流不能太大而燒壞樣品。陣列的電流電壓特性是非線性的曲線，我們必須要能夠量測到1pA和1??V大小的DC訊號。為達此目的，我們必須自行設計組裝一套適合的量測線路，和能夠達到此解析度的前置放大器。為了減小因訊號線過長而導入的雜訊，該放大器是直接置於低溫樣品架的上方。 由於所設計的陣列單元類似一個超導量子干涉元件(SQUID) 。SQUID的面積約是0.5微米見方，這使得加上一約十高斯的磁場，便可在一個陣列單元中塞入一磁通量子(Φ0=h/e)。當外加一垂直於基板的磁場時，會改變陣列的傳導性質。一般而言，此性質只和塞入陣列單元的磁通量子數目有關，而且為周期性的。為了更簡單的表示磁場的作用，我們定義一填滿因子f，代表一個陣列單元所填入的磁通量子平均數目，在二維陣列中f稱為frustration。圖二2是對一組一維陣列樣品量測到的電流電壓(IV)特性曲線。同一個樣品在不同的磁場下(用f值來表示)，顯現出類似超導體(f=0)和類似絕緣體(f=0.5)的兩種特性。 圖一 SEQ 圖表 \* ARABIC : 約瑟芬結陣列(部分)的電子顯微鏡影像[1] ，I字型的鋁超導島組合而形成類似SQUID的單元構成整個陣列。左圖為一維陣列，下方的尺標為一微米的長度。右圖為二維陣列，右下方的尺標為0.1微米的長度。實線所框的區域是一個穿隧結，虛線所框的區域是一個SQUID。 約瑟芬結的量子力學 一個約瑟芬結是由兩個超導體接合而形成，庫伯電子對(Coo