场效应管及实际的放大电路.ppt

由图可知 故电路的输出电阻 ? 3） 共栅极放大电路 + _ T + _ + + + + _ _ + g s d _ + 微变等效电路 由图可知 · · · · · · · a. 求电压放大倍数 + _ _ + g s d _ + 故 由于 + _ _ + g s d _ + b. 求输入电阻Ri 故 c. 求输出电阻Ro 画出求Ro的等效电路 + _ _ + g s d _ + + _ _ + g s d _ + 1. 比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管放大电路，在电路结构上有何相似之处？为什么前者的输入电阻较高？ 2. 为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏置？ 思 考 题 例1 在图示电路中: （1）如果电路输入、输出电压的波形分别如图(a)、(b)所示。试问该电路的静态工作点可能处于或靠近哪个区？ （2）已知T工作于放大区及IDQ，RG1和RG2，求RS。 （3）在线性放大条件下，写出电路的Au、Ri及Ro的表达式。 o ui uo 3p o 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) 练习题 ? RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - 解：由图可知，该电路是一由N型沟道增强型MOS场效应管组成的共源极放大电路。 （1）由于电路的输出波形负半周出现了失真，故该电路的静态工作点Q靠近可变电阻。 o ui uo 3p o 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) ? RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - 将以上两式联立求解得： （2） 已知T工作于放大区 IDQ=k[UGSQ-UGS(th)]2 故 而 ? RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - （3） 微变等效电路 ? · ? RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - 例2 电路如图所示，已知T1的gm 和T2的?、rbe。试写出电压放大倍数Au 的表达式。 · 解 该电路是场效应管和晶体管组成的放大器。 画出该电路的微变等效电路。 T1 +VCC RG uo + ui + C1 RC T2 C2 + + - - ? 微变等效电路 T1 +VCC RG uo + ui + C1 RC T2 C2 + + - - ? RC RG uo ui ugs gmugs s g d rbe ? ib ib + – ? + – + – 由图可知 故电压放大倍数 · · · · · · · · · · · RC RG uo ui ugs gmugs s g d rbe ? ib ib + – ? + – + – * * * 2．伏安特性与参数 2 4 0 6 10 20 可 变 电 阻 区 放大区 截止区 a．输出特性曲线 b．转移特性曲线 函数表达式 转移特性曲线 0 工作于放大区时 增强型与耗尽型管子的区别： 耗尽型：uGS=0时，结构中已存在沟道 增强型： 当 时，无沟道产生 当 时， 总结 uGS↗后，沟道产生 开门电压 夹断电压 JFET符号 N沟道 P沟道 MOSFET符号 增强型 耗尽型 G S D S G D P沟道 G S D N沟道 G S D 场效应管的特点（与双极型三极管比较） （1）场效应管是一种电压控制器件，即通过改变外加电压uGS来控制电流iD； 具体JFET是利用半导体内部的电场效应进行工作，称其为体内场效应管； MOSFET是利用半导体表面的电场效应进行工作，称其为表面场效应管； 而双极型三极管是一种电流控制器件，即通过iB来控制iC （2）场效应管的输入端电流iG几乎为零，输入电阻非常高。 而双极型三极管的发射结始终处于正向偏置，有一定的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。 （4）场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定性较好，且存在零温度系数工作点。 （3）场效应管是利用多数（一种极性）载流子导电的。 而在双极型三极管中二种极性的载流子（电子和空穴）同时参与了导电。 （5）场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、灵活。 （6）场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有双极性三极管5%。 （7）场效应管的跨导gM小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性三极管低。 （8） 由于MOS管的输入电阻高，由外界感应产生的电荷不易泄露，而栅极上的绝缘