场效应管和实际放大电路.ppt

第九讲 场效应管及其放大电路 第九讲 场效应管及其放大电路 一、场效应管（以N沟道为例） 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 转移特性 输出特性 2. 绝缘栅型场效应管 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型MOS管 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 二、场效应管静态工作点的设置方法 1. 基本共源放大电路 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 三、场效应管放大电路的动态分析 1. 场效应管的交流等效模型 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 四、复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 讨论一判断下列各图是否能组成复合管 讨论二 若Rd=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，则 与共射电路比较。 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则 若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=? 不同类型的管子复合后，其类型决定于T1管。 目的：增大β，减小前级驱动电流，改变管子的类型。 * 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 本节课的教学目的： 1、了解各种场效应管的工作原理、特性和主要参数；与晶体管相比较，掌握场效应管三个工作区域的特点。 2、学会为场效应管放大电路设置Q点。 3、通过对场效应管放大电路的分析，进一步掌握放大电路的基本分析方法。 4、与晶体管放大电路相比较，掌握场效应管放大电路的特点。 5、学会组成复合管。 说明uGS控制iD的明显的非线性关系。 讲清为什么进入恒流区时iD几乎仅仅受控于uGS。 与晶体管类比，自学场效应管的主要参数。 与共射放大电路类比。 与共集放大电路相类比。 讨论清楚复合管的组成原则。 加深等效变换的概念。 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管 场效应晶体管及其放大电路 晶体管的主要特点 1. 电流控制型器件。 2. 输入电流大，输入电阻小。 3. 两种极型的载流子都参与导电，又称为双极型晶体管，简称BJT（Bipolar Junction Transistor)。 概述 场效应管，简称FET(Field Effect Transistor )。 (a) 输入电阻高，可达107 ~1015W。 (b) 起导电作用的是多数（一种）载流子，又称为单极 型晶体管。 (c) 体积小、重量轻、耗电省、寿命长。 (d) 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺 简单。 (e) 在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。 场效应管的主要特点 1. 结型场效应管，简称JFET (Junction Field Effect Transistor)。 场效应管按结构可分为 场效应管的类型 2. 绝缘栅型场效应管，简称IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistor)。 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uDS＜UGS（off）。 为什么必须用转移特性描述uGS对iD的控制作用？ g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 增强型管 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 大到一定值才开启 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uG