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FET特性與應用電路 NMOS-FET (enhancement ) ID - VG ID VGS ID VG ID VG Id - Vg Id - Vd MOSFET的特性 四個端點: 閘極（Gate；G極）、源極（Source；S極）、汲極（Drain；D極）、基板（Body；B極） PMOS和NMOS原理亦同，只是操作極性相反。 可分為兩種: 空乏型（Depletion MOS: normal-on），另一種為增強型（Enhancement MOS: normal-off） NMOS-FET (depletion) MOSFET特性 截止區（Cut-off Region）：VGSVt, ID都近乎於零(無通道)，此時FET是關閉的，稱為截止。 三極區（Triode Region）：VGS-VDSVt, ID受到VGS影響,也隨VDS的大小而改變，VDS愈大ID愈大。 ID = K{2(VGS-Vt)VDS - VDS2} 飽和區或夾止區（Saturation or Pinch-off Region）： Vt≧ VDS-VGS FET像個定電流源，由VGS控制電流的大小，ID不受VDS大小的影響(理想上)。這個區域也是一般放大電路經常使用的區域。 ID = K(VGS-Vt)