半导体硅锗的晶体结构.ppt

1.10 宽禁带半导体材料 Eg≥2.3eV 宽禁带半导体材料 常见宽禁带半导体材料： SiC, AlN, GaN，金刚石等 性质：禁带宽、热导率高、介电常数低、电子漂移饱和速度高 用途：制作高温、高频、高功率、抗辐照电子器件。还可制作蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探测器件 6学时 Ge, Si， GaAs的晶体结构分别是什么？ 并描 述其特点。 2.描述晶体中电子的共有化运动。 晶体形成能带的原因是什么？ 3.半导体的导电机构是什么？ 4.什么是本征激发？ 5.什么是禁带宽度？ 6.描述空穴的概念。 7.有效质量的意义是什么？ 8.描述直接能隙半导体和间接能隙半导体。 Ge,Si和GaAs分别属于那种半导体？ 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 绝对温度为零时 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 热激发后 两种情况下的能带图 如何理解空穴导电？ 设价带有电子跃迁到导带。设电子电流密度为J，则 J＝价带（k状态空出）电子总电流 设想以一个电子填充到空的k状态， k状态电子电流＝（-q）v（k） v(k): k状态电子的运动速度 填入这个电子后，价带又被填满，总电流应为零，即 J＋（-q）v（k）＝0 J＝（＋q）v（k） 这就是说，当价带k状态空出时，价带电子的总电流，就如同一个正电荷的粒子以k状态电子速度v（k）运动时所产生的电流。 引入空穴的意义 把价带中大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达出来。 半导体中有电子和空穴两种载流子，而金属中只有电子一种载流子 （1）空穴具有正的有效质量 （2）空穴具有正电荷+q，价带导电I=(+q)v(ke) （3）空穴的速度与导带电子方向相反。 （4） 价带中缺少一个电子，就失 去了这个电子能量Ee(ke),相当于在全满价带 中加入一个空穴，其能量为Eh(kh)，使价带减 少Ee(ke)的能量 (5) 价带中缺少一个电子，空出ke状态， 相当于在价带中加入一个空穴设其状态为kh表 示，加入一个kh相当于加入一个-ke状态到价带。 1 在一个电子能带图中，较高能量状态中的电子具有较大的能量；而对于空穴的能量是由上到下（ ）。 A.递减； B.递增；C.不变 2 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（ ） A. 比半导体的大 B. 比半导体的小 C. 与半导体的相等 1.5 回旋共振 实验目的：测量电子的有效质量，以便采用理论与实验相结合的方法推出半导体的能带结构 1.5.1 k空间等能面 k空间等能面为k空间能量相同的各k值点所构成的曲面 简单情况下 设k空间的三个基矢为 ,则波矢表示为 当E(k)为确定值时，(kx,ky,kz)构成一个封闭的曲面 是一个半径为 的球面。在这个面上能值相等 设极值点出现在 处， 令 分别表示沿 三个方向的导带底的电子有效质量（对空穴也一样） 更一般的情况下 1）对于各向异性的晶体，E(k)与k的关系沿不同k 方向不一定相同,不同k方向,电子有效质量不同 2）能带极值不一定位于k＝0处 其中 上式代表的是一个椭球等能面，等能面上的一个波矢k代表一个电子状态，对应一个能量E(k) 1.晶体中电子在磁场作用下运动 半导体样品置于均匀恒定磁场 运动轨迹为螺旋线，圆周半径为r，回旋频率为 1.5.2 回旋共振 实验目的 测量电子的有效质量，以便采用理论与实验相结合的方法推出半导体的能带结构 实验原理 固定交变电磁场的频率，改变磁感应强度以观测吸收现象。磁感应强度约为零点几T 2.回旋共振实验 等能面的形状与有效质量密切相关 球形等能面 有效质量各向同性，即只有一个有效质量 椭球等能面 有效质量各向异性， 在不同的波矢方向对应不同的有效质量 等能面为球面 半导体样品置于均匀恒定磁场中， 回旋频率为 以电磁波通过半导体样品，交变电场频率等于回旋频率时，发生共振吸收 测出频率和电磁感应强度便可得到mn* 等能面为椭球（有效质量各向异性） 电子受力 电子运动方程 电子做周期性运动，取试解 代入前式得 要使 有异于零的解， 系数行列式必须为零，即： 回旋频率为 式中 当交变电磁场频率ω与ωc相同时， 就得到共振吸收 为能观测出明显的共振吸收峰，就要求样品纯度要高，而且实验一般在