半导体器件的静电损伤及防护.pdf

半导体器件的静电损伤及防护 半导体器件在制造、测试、存储、运输及装配过程中，仪器设备、材料及操作者 都很容易因摩擦而产生几千伏的静电电压。当器件与这些带电体接触时，带电体 就会通过器件引出脚(Pin)放电，导致器件失效。静电放电(Electro-Static-Discharge) 损伤不仅对 MOS 器件很敏感，而且在双极(Bipolar) 器件中同样也存在 ESD 损 伤问题。 1．静电的产生 （1）摩擦起电 （2 ）感应起电 （3 ）人体静电 表 1-1 列出了活动人体身上的典型电压。 表 1-1 活动中人体身上的典型电压 电压（KV ） 人体活动 相对湿度 20% 相对湿度 80% 在人造地毯上走动 35 1.5 在聚乙烯地板上走动 12 0.25 在工作台上工作 6 0.1 坐在人造革椅上 18 1.5 拿乙烯包 7 0.6 拾起乙烯袋 20 1.2 2 ．影响摩擦起电电荷量的因素 （1）相对湿度 （2 ）材料 （3 ）接触面积 （4 ）摩擦频率 3 ．静电能量与电荷量 １ （1）静电能量E=1/2CV2 （2 ）电荷量Q=CV 4 ．ESD 的危害性 在典型工作环境中，人体电容约为 150pf，如果感应的电荷量约 0.6μC，那么就 会导致 4 KV 的静电势，这时人体所带静电能量是 1.2 毫焦耳。我们试想带电人 体作用在集成电路上，会发生什么呢？它会产生一个强电场然后击穿集成电路内 部的一些绝缘体或 PN 结；它会对集成电路内部的元器件放电，虽然时间非常短， 典型值约 10ns~100ns，但瞬间电流可达 1A~10A，这足以造成半导体器件的热破 坏。因为人体活动范围大，而人体静电又容易被人们忽视，所以人体静电放电往 往是引起半导体器件静电损伤的主要原因之一，它对半导体器件的危害最大。 5 ．ESD 损伤模型与测试方法 （1）HMB(human Body Model) HBM 是根据带静电的操作者与器件的引出脚接触，通过器件对地放电，使器件 失效而建立的。等效电路如图 4-1 所示。 10M 1500 HV Supply DUT 100pf 图4-1 HBM 模型 （2 ）CDM(Charged-Device Model) CDM 是基于已带电的器件通过引出脚对地放电引起器件失效。模型如图 4-2 所 示。 S1 S2 R DUT Ld Cd + V METAL