GB/T 12963-2014电子级多晶硅.pdf

ICS 29.045 H 82 OB 中华人 民共和 国 国彖标准 GB/T 12963—2014 代替 GB/T 12963—2009 电子级多晶硅 Electronic-grade polycrystalline silicon 2014-12-31 发布 2015-09-01 实施 GB/T 12963—2014 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 12963—2009 《硅多晶》 。本标准与GB/T 12963—2009相比，主要有如下变动： —增加引用国家标准 GB/T 1551.GB./T 1557 、GB/T 24574 、GB/T 24581,GB/T 24582（见第 2 章）； —增加了多晶硅的技术参数，包括施主杂质浓度 、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表 面金属杂质浓度的要求 （见表1）; 不同等级多晶硅的碳浓度由 ＜1.5 X 1016 atoms /cm" 、V2 X 10lfi atoms /cm3 、V2 X 10" atoms /cm"修订为＜4.OX 1015 atoms /cm3 、＜ 1.0X 10" atoms /cm3 、＜1.5X 10" atoms /cm3 （见表1） o 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 SAC/TC 203）和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会 SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。 本标准起草单位：峨嵋半导体材料研究所 、四川新光硅业科技有限责任公司、有研半导体材料股份 有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司。 本标准起草人:詹科、杨旭、种娜、黎亚文、梁洪、孙燕、刘晓霞、银波、甘新业、严大洲。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 12963— 1991 ＞GB/T 12963— 1996、GB/T 12963 —2009。 T GB/T 12963—2014 电子级多晶硅 1范围 本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单 （或合同）内容。 本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件 ，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1553 硅和错体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法