IC原理-第7章-集成电路设计概述.pptVIP

第7 章 集成电路设计概述 本章在 “《半导体集成电路 》朱正涌编著，张开华主审， 清华大学出版杜 2001年，高等学校工科电子类规划教材 ”中，排序为第17章 第17 章 集成电路设计概述 1. 集成电路设计的流程图 2. 集成电路的正向设计流程 3. 什么是逆向设计 4. 设计规则 电路设计 根据电路的指标和工作条件，确定电路结构与类型，然后通过模拟计算，决定电路中各器件的参数（包括电参数、几何参数等） 工艺设计 根据电路特点选择适当的工艺，再按电路中各器件的参数要求，确定满足这些参数的工艺参数、工艺流程和工艺条件。 版图设计 按电路设计和确定的工艺流程，把电路中有源器件、阻容元件及互连以一定的规则布置在硅片上，绘制出相互套合的版图，以供制作各次光刻掩模版用。 2. 集成电路的正向设计流程 理想的设计流程(自顶向下：TOP-DOWN） 系统功能设计，逻辑和电路设计，版图设计 硅编译器 silicon compiler (算法级、RTL级向下） 门阵列、标准单元阵列等 什么是正向设计？ 集成电路的正规设计方法是正向设计，即根据产品确定的指标和要求、从电路原理或系统原理出发，通过查阅相关规定和标准，利用已有知识和能力来设计模块和电路，最后得到集成电路物理实现所需的几何图形。正向设计产品的性能可以通过仿真进行验证和预测。更为重要的是，正向设计的思维是积极主动的，知识是可以积累的，性能可以不断提高，产品可以不断的更新换代，而反向设计即使百分之百正确，也只能是一个已经定型产品的模仿，在辛苦进行反向设计时，别人的第二代、第三代产品又已经出来了，这样的产品又有什么竞争力呢? 正向设计流程如下：朱正涌教材 p.329 (1)根据功能要求进行系统设计(画出框图)。 (2)划分成子系统(功能块)进行逻辑设计。 (3)由逻辑图或功能块功能要求进行电路设计。 (4)由电路图设计版图，根据电路及现有工艺条件，经模拟验证再绘制总图。 (5)工艺设计，比如原材料选择，设计工艺参数、工艺方案，确定工艺条件、工艺流程。 如有成熟的工艺，就根据电路的性能要求选择合适的工艺加以修改、补充或组合。工艺条 件包括扩散源的种类，温度、时间、流量，离子注入剂量和能量，工艺参数及检测手段等。 3. 什么是逆向设计？ （教材 p.329 ） 反向设计（解剖同类型的IC的产品）是集成电路设计方法的一个专有名词。反向设计是通过拍摄和放大已有芯片照片得到版图的几何图形。由于原有芯片的图形尺寸极小且是多层重叠的，反向设计的工作量很大，而且出错概率也大。以一千门的不规则版图为例，反向分析就需一个工程师几乎一年的时间。随着电路规模的增大，这种反向分析的效率成倍地下降，错误概率呈指数上升，一个几万门电路的反向设计几乎是不可能的，而几十万门的电路就完全不可能了。 反向工程大体的流程应该是： 芯片样品 ?解剖去层 ?数字拍照 ?拼接对准 ?完整图像 ? (码点提取、版图提取、网表提取) 逆向设计的流程如下： (1)提取横向尺寸 1) 打开封装，进行照相(把电路产品放大数百倍分块照相，提取集成电路的复合版图)； 2) 拼图 (把照片拼成整个产品的复合版图)； 3) 由产品的复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则； 4) 进行电路模拟，验证所提取的电路是否正确； 5) 如果模拟正确。可以着手画版图。 (2)提取纵向尺寸 用扫描电镜、扩展电阻仪等提取氧化层厚度、金属膜厚度、多晶硅厚度、结深，基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。 (3)测试产品的电学参数 电学参数包括开启电压（ MOS电路）、薄膜电阻、放大倍数（双极电路）、特征频率等。 其中芯片剖片拍照过程如下： 1. 芯片开盖 开盖以化学法或特殊封装类型开盖，处理金线取出晶粒。 2. 层次去除 以蚀刻方式去除层，包括去除保护层polyimide（聚酰亚胺）、氧化层、钝化层、金属层等。 3. 芯片染色 通过染色以便于识别，主要有金属层加亮，不同类型阱区染色，ROM码点染色。 4. 芯片拍照 通过电子显微镜(SEM)对芯片进行拍摄。 5. 图像拼接 将拍摄的区域图像进行拼接(软件拼接，