GB/T 12962-2015硅单晶.pdf

ICS 29.045 H 82 OB 中华人 民共和 国 国彖标准 GB/T 12962—2015 代替 GB/T 12962—2005 硅 单 晶 Monocrystalline silicon 2015-12-10 发布 2017-01-01 实施 GB/T 12962—2015 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起 。 本标准代替GB/T 12962—2005 《硅单晶》 。本标准与GB/T 12962—2005相比，主要变化如下： ——增加了直径小于或等于50.8 mm直拉硅单晶及要求 （见5.1.1）； ——增加了直径200 mm区熔硅单晶及要求 （见5.1.1）； ——增加了对直拉硅单晶的载流子寿命要求（见5.2.1）； ——修订了 n型区熔高阻硅单晶电阻率范围的要求（见5.2.1）； 增加了掺杂比为F5的中子嬉变掺杂硅单晶的要求 （见5.2.1）； —修订了掺杂比为的中子壇变掺杂硅单晶的径向电阻率变化及少数载流子寿命要求 （见 5.2.1）； ——修订了气相掺杂区熔硅单晶的直径 、电阻率及少数载流子寿命等要求（见5.2.1）； — “金属含量”要求中删除了 “重掺杂直拉硅单晶的基硼、基磷含量由供需双方商定提供”内容（见 5.8）； 取样由文字描述改为表6; ——增加了订货单内容 （见第9章）o 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。 本标准起草单位:有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技 股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙 江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、广东 泰卓光电科技股份有限公司。 本标准主要起草人：孙燕、张果虎、张雪園、黄笑容、楼春兰 、王飞尧、朱兴萍、何良恩、徐新华、 杨素心 、由佰玲、李丽妍。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 12962 —1991、GB/T 12962— 1996,GB/T 12962—2005 o T GB/T 12962—2015 硅 单 晶 1范围 本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书 和订货单 （或合同）内容等。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法 （包括中子嫗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的 硅单晶 。产品主要用于制作半导体元器件。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅