第二章陶瓷基复合材料.pptVIP

2.3 陶瓷材料的制备方法 2.3.2 新型陶瓷制备工艺 一、溶胶-凝胶工艺（Sol - gel） 2.3 陶瓷材料的制备方法 2.3.2 新型陶瓷制备工艺 一、溶胶-凝胶工艺（Sol - gel） 2.3 陶瓷材料的制备方法 2.3.2 新型陶瓷制备工艺 二、自延高温合成工艺（Self-propagating high temperature synthesis, SHS） 该类工艺的又一名称为铝热燃烧反应。铝与氧化铁的放热反应释放出的热量很多，可使温度达到 2500 ℃。 SHS 的突出特点： 极高的燃烧温度（接近 4000 ℃） 简单、低成本的设备 能精确控制其化学成分 能制备不同的形状的零件 2.3 陶瓷材料的制备方法 2.3.2 新型陶瓷制备工艺 二、自延高温合成工艺（Self-propagating high temperature synthesis, SHS） 2.4 一些常用陶瓷材料的介绍 2.4.1 碳化硅 碳化硅（SiC）是一种非常硬而脆的材料。在还原气氛中，碳化硅具有很好的耐烧蚀与化学腐蚀能力。在氧化气氛中，碳化硅中的自由 Si 可能被氧化，在极高温度下，碳化硅也可能被氧化。 碳化硅主要有两种晶体结构，一种为? - SiC，属于六方晶系，另一种为 ? - SiC，属立方晶系。多数碳化硅以? - SiC为主晶相。 碳化硅并不是一种天然存在的矿物，虽然硅和碳都是地球上存在着的最丰富的元素之一。 2.4 一些常用陶瓷材料的介绍 2.4.1 碳化硅 主要的制备工艺有： 热压烧结法 反应烧结法 化学气相沉积法 一、热压烧结法 需要添加剂：MgO, B, C , Al 需要的热压温度非常高：1900 - 2200 ℃ 压力：35 Mpa 热压后的碳化硅制品必须用金刚石来打磨、修整，很贵 2.4 一些常用陶瓷材料的介绍 2.4.1 碳化硅 二、反应烧结法 原材料为碳化硅粉、石墨和增塑剂混合料。 粉状的原材料被压制、拉挤或注射到模具中，得到坯料。 分解增塑剂。 渗入硅的固体、液体或气体到坯料中与其中的碳反应原 位形成碳化硅。 在这一工艺中，额外的 2-12%硅被渗入进去，以填充形成的空隙，因而可得到致密的制件。 2.4 一些常用陶瓷材料的介绍 2.4.1 碳化硅 表 2 - 3 用不同工艺制备的碳化硅的典型性能 2.4 一些常用陶瓷材料的介绍 2.4.2 氮化硅 氮化硅（Si3N4) 是键合能很高的共价化合物。有两种晶体结构，?型与?型，两者均为密排六方结构，但 ? - Si3N4的C-轴长度是 ? - Si3N4的两倍。 主要的制备工艺有： 冷压烧结法 热压烧结法 反应烧结法 热等静压法 化学气相沉积法 2.4 一些常用陶瓷材料的介绍 2.4.2 氮化硅 一、反应烧结法 将硅粉压成需要的形状，然后在 1100 - 1400 ℃ 的高温下通入纯氮气或氮气与氢气的混合气，这时就有下列反应发生： 3Si (s) + 2 N2(g) Si3N4(s) 3Si (g) + 2 N2(g) Si3N4(s) Si(s) + SiO2 2SiO(g) 第三个反应说明了在反应过程中硅的减少。 反应烧结法制备的氮化硅孔隙率较热压制品高（10%），因此其中温下的抗氧化能力也较低，通常其强度 400MPa, 一般为250 MPa左右。 2.4 一些常用陶瓷材料的介绍 2.4.2 氮化硅 二、化学气相沉积 化学气相沉积法用来制备氮化硅的纯缘（热）或防扩散膜。 将硅烷或氯化硅在800 - 1100 ℃ 的温度下与氨气反应，就可制备得到氮化硅，具体的化学反应如下： 3SiH4(g) + 4NH3(g) Si3N4(s) + 12 H2(g) 3SiCl4(g) + 4NH3(g) Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3SiHCl3(g) + 4NH3(g) Si3N4(s) + 9HCl (g) + 3 H2(g) 用该方法制备的氮化硅致密，但不能制备复杂的形状。 2.4 一些常用陶瓷材料的介绍 2.4.2 氮化硅 表 2 - 4 不同工艺制备氮化硅的性能 2.4 一些常用陶瓷材料的介绍 2.4.3 氧化铝 氧化铝陶瓷也称为高铝陶瓷，主要成分为Al2O3和SiO2。 Al2O3含量越高，性能越好。 A