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第二章 MOS晶体管 一、MOSFET的结构 MOS晶体管是一种场效应管（英文全称为Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor），它是电压控制电流器件，既可以用于模拟电路，也可以用于数字电路。在模拟电路中，由于MOS晶体管具有很高的输入阻抗，从而可提高它作为电压放大器的性能。而在数字电路中，MOS晶体管广泛用作基本存储器件或逻辑器件。可以说MOS晶体管是MOS管集成电路的主要器件。 2.1 MOS晶体管结构和工作原理 一、MOSFET的结构 MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压vGS实现对水平iDS的控制。它是多子（多数载流子）器件。用跨导描述其放大能力。 2.1 MOS晶体管结构 根据导电沟道的不同，MOS晶体管可分为P沟道MOS晶体管（简称为PMOS管）和N沟道MOS晶体管（简称为NMOS管），而根据在没有外加电压条件下导电沟道形成与否又可分为耗尽型MOS管和增强型MOS管。 图2.1.1所示的是一只增强型NMOS管，它是在适度掺杂的P型衬底上制作两个掺杂浓度较高的N型区