第2章 结型光电探测器.pptxVIP

第2章 结型光电探测器 2.1 光生伏特效应;;势垒型光电探测器与光电导探测器相比较，主要区别:;2.1.1 PN结;加正向电压的结构与能带 加反向电压的结构与能带 ;设扩散电流I1，一般都规定PN结中的扩散电流方向为流过PN结电流的正方向，即由P区通过PN结指向N区，如图2-3。反向饱和漂移电流I0，与扩散电流方向相反，也称反向电流。 I1=I0eeU/kT 其中，k为波尔兹曼常数，T为热力学温度。;PN结加上外加电压，流过PN结的电流为： Ij=I1-I0=I0(eeU/kT-1) U为正，即P区电压高于N区，即常说的正向电压，此时电流由P区流到N区，电流为正值，如图2-3。 U为负，即N区电压高于P区，即通常所说的负向电压，电流由N区流到P区，电流为负值，如图2-4。 PN结的电流电压特性如图2-5中的无光照的I-U曲线。 ;2.1.2 PN结光生伏特效应;PN结在有光照的电流电压曲线，与普通的二极管的电流电压特性相区别: 相当于在回路中加了一个反向电势，所以产生了光生伏特效应的光电二极管的电流电压特性发生了移动。 当I=0时，U=Uoc，即光生电势。 当U=0时，I= Isc，即光生电流。比较图2-5的曲线Ⅰ和Ⅱ，随着光照的增强，曲线向下移动，光生电势和电流增加。;2.2 光电池;2.2.1 光电池的结构; PN结光电池的结构图;;;;2.2.2 光电池的电流与电压;光照引起电压和势垒的变化 ;; 2.2.3 光电池的主要特性;; 2．光谱特性 光电池的光谱特性主要取决于所采用的材料与制作工艺，同时也与温度有关， ;3．伏安特性;;4．转换效率;5．频率特性;6．温度特性;7．太阳能光电源装置;;;;2.3 光电二极管;主要区别;;;2.3.1 PN结型光电二极管1．PN结光电二极管的结构;由于SiO2层中不可避免地沾污一些少量杂质正离子（如Na+，K+，H+），来源于所使用的化学试剂、玻璃器皿、高温器材及人体沾污等，其中最主要而对器件稳定性影响最大的是Na+。 ;为了降低这部分噪声，就不能让SiO2中少量正离子静电感应所产生的表面漏电流经过外电路的负载。 目前，一般采用在P-Si扩散磷形成N+层时，同时扩散环形N+层，把原来的N+层环绕起来，单独引出一个电极，称为环极，如图2-20。 由于环极电位高于前极，大部分表面漏电流将通过环极直接流向后极，而不经过负载电阻了。这样就减少了流过前极的暗电流和噪声，若环极不接电时，除前级暗电流大，噪声大一些以外，对其它性能均无影??。 ; 2CU型光电二极管和电路 ;2．光照特性;3．光谱特性;4．伏安特性;;6．入射特性;聚光透镜入射窗的优点：能够把入射光会聚于面积很小的光敏面上，以提高灵敏度。由于聚光位置与入射光位置有关，减小了背景杂散光的干扰，仅当入射光与透镜光轴重合时（θ=0o）灵敏度最大。;;7．频率特性;其中Ip为光电流，D为理想二极管，Cj为结电容，Rd为PN结电阻，由于是反向偏压，一般很大，约为108Ω，Rs为体电阻（邻近结P区和n区的体电阻），Rs一般很小，为几十Ω，RL为外加负载电阻，几千Ω。 由于Rd很大，Rs很小，D内阻无穷大，不消耗电流，可把图简化。;;8．噪声与噪声等效功率;;器件在实际使用中，后面总是接负载和放大器，式中R应为PN结的漏电阻和负载电阻的并联值，因为PN结的漏电阻远大于负载电阻，所以R值实际是PN结的负载电阻值。;在一般情况下，电流的散粒噪声都比电阻的热噪声大，如果只考虑电流的散粒噪声时，则：; 2.3.2 PIN型光电二极管1．PIN硅光电二极管;图2-27 PIN硅光电二极管结构与所加电压;1. 输出的光生电流较大，灵敏度有所提高。 ;;;2．长波长光电二极管;InP的禁带宽度为1.35eV，InxGa1-xAs的禁带宽度0.7eV，InP对波长大于0.9μm的光透明，光吸收作用主要在InGaAs层，形成PIN，光谱响应可达1.7μm， 这样该器件的光谱响应范围为0.9-1.7μm，广泛应用于光通讯的光探测。 ;;;2.3.3 雪崩型光电二极管(APD);原理:雪崩反应 噪声大是这种管子目前的一个主要缺点 . 在正常情况下，雪崩光电二极管的反向工作偏压，一般略低于反向击穿电压。 ;光电倍增系数Mph：倍增光电流iph与不发生倍增效应时光电流ipho之比. ;;;;;Si-APD耗尽层达30~50μm，要产生雪崩效应，电压太高，偏压高达300V。为降低偏压，研制出RAPD(拉通型APD)， ;它使雪崩效应仅发生在在很薄的区域内。P+和N+为高掺杂低阻区，I为本征区，PN结附