晶体管及其应用 .ppt

第七章 晶体管及其应用;导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;7.0.1 本征半导体（纯净和具有晶体结构的半导体）;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;7.0.2 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;二、P 型半导体;三、杂质半导体的符号;;P 型半导体;漂移运动;－;(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 ;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;7.2 晶体二极管及其应用;B 伏安特性;C 主要参数;（4） 反向电流 IR; 当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。;CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。;;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。;稳压二极管的应用举例;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;7.2.3 发光二极管;7.2.4 光电二极管;7.2.5 变容二极管;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;二极管的应用举例2：;;B;B;B;IC;结论:;二. 电流放大原理;B;IB=IBE-ICBO?IBE;ICE与IBE之比称为电流放大倍数;一.输入特性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;D、主要参数;例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。;b.集-基极反向截止电流ICBO;B;d.三极管的极限参数 （1）集电极最大电流ICM;（3） 集电极最大允许功耗PCM;7.3.2 共发射极放大电路;放大电路的目的是将微弱的变化信号不失真的放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。;放大元件iC=? iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。;作用：使发射结正偏，并提供适当的静态工作点。;集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。;集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压。;耦合电容： 电解电容，有极性。 大小为10?F~50?F;可以省去;单电源供电电路;符号规定; B 放大电路的分析方法;直流通路和交流通路 ;例：;对交流信号(输入信号ui);ui=0时;IBQ;(IBQ,UBEQ) 和( ICQ,UCEQ )分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。;（1） 估算法;（2）根据直流通道估算UCE、IB;直流负载线;先估算 IB ，然后在输出特性曲线上作出直流负载线，与 IB 对应的输出特性曲线与直流负载线的交点就是Q点。;例：用估算法计算静态工作点。;b 动态分析;从输出回路看;ube;（2） 放大电路的微变等效电路;电压放大倍数的计算;输入电阻的计算;输出电阻的计算;所以：;IB;uCE的变化沿一条直线;交流负载线;iC 和 uCE是交直流量，与交流量ic和uce有如下关系;交流负载线的作法;各点波形;失真分析;iC;iC;iC;实现放大的条件;如何判断一个电路是否能实现放大？;集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上。; 集成电路内部结构的特点;UEE;对输入级的要求：尽量减小零点漂移,尽量提高 KCMRR , 输入阻抗 ri 尽可能大。; ri 大: 几十k? ? 几百 k?;;ui;由于运放的开环放大倍数很大，输入电阻高，输出电阻小，在分析时常将其理想化，称其所谓的理想运放。;理想运放的符号;i1;b 串联电压负反馈;c 串联电流负反馈;d 并联电流负反馈;D 集成运放的线性应用;a 比例运算电路;i1= i2;平衡电阻，使输入端对地的静