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维普资讯 硅烷分解行为及设备的研究进展 浙江大学 李锡华 【内窖器翼】 硅烷法生产高纯硅和甩硅烷沉积硅膜广泛应用于高纯硅生产和器件制造中。本 文综述了文献资料对硅烷热分解动力学、汽相沉积硅膜(CVD)、硅烷的光化学及硅烷热分解设备 的研究状态 。 一 、 引 言 随着电子工业的迅猛发展，各种高性能的具有不同功能的电子器件相继问世，对用来制作 电子器件的半导体材料的纯度也提出了相当高的要求。用硅烷作中间物质来制取半导体高纯 硅 已为大家所熟知。在硅烷法生产高纯硅的过程 中，硅烷热分解沉积高纯硅的能耗 占相当大的 比例 ，而根据 目前 已有的热力学数据，硅烷热分解实际上是一个弱的放热反应，它在分解时并 不吸收能量，因此在硅烷分解沉积硅过程 中所消耗的能量只提供了硅烷分解的动力学条件。 因而如何采用其他途径提高硅烷热分解速度，降低高纯硅生产的能耗有着重要的现实意义。 人们对硅烷分解做了大量的研究，有纯理论的分解动力学研究，也有为了实现一定 目的 而进行的应用研究，概括起来可分为这样四个方面：即硅烷热分解动力学、化学汽 相沉 积 硅、硅烷的光化学和硅烷热分解设备。下面分别加以叙述。 二、硅烷热分解动力学研究 多年来，许多学者从各个方面采用不同的方法和手段对硅烷的热分解机理和动力学进行 了研究。早在1880年，Ogier就指出把硅烷加热到400~C保温几个小时，硅烷就完全分解成氢气 和硅。1912年，VonWartenbury确定了存在细镍粉条件下在180--260~C温度范围内硅烷的分 解程度，他发现在380℃硅烷就完全分解并且提出在硅烷、氢气和硅之间存在着平衡 的假设： SiHI； Si+2Hj 1936年，Hogness等人研究了硅烷静态分解状态 “，他们用一反应器与U型水银压力计 作实验装置，如图 1所示，把反应温度恒定在某一值，测定每一时间间隔的压力变化，由压 力变化推算 出反应进行的程度，进而得到反应速度。他们发现硅烷分解产物是硅和氢，没有 乙硅烷生成，在反应开始阶段，lgPo(siH。)／P(siH)与时间 t成线性关系，并与初压无关， 表明这是一级反应，并且温度越高，斜率越大，说明分解反应速度加快。但 在 反 应 后期， 馄离一级反应，分别为1／2、3／2、2级等，并与初压有关，说明反应产物对分解反应起着一 定瞬作用。通过对实验结果的分析，他们认为硅烷分解反应是均相反应，且一级反应是篡主 要反应，分解反应速度可表示为： V=2×1o。exp(一51700／RT)·P (cmHg·sec ) 反应产物氢对反应起着抑制作用，阻碍反应的进行，他们认为反应按下列步骤进行： SiH 寻‘ SiHj+HI ’9 ‘ 维普资讯 SiHI Si+H； Stokland对硅烷各种分解程度的反应混合物作了分析，他检测 蓟了乙硅烷并甩精馏法把它从甲硅烷 中分离出来。他的分析数 据指出，在1．3％甲硅烷分解下，其气相产物的50 生 成 乙硅 烷，并且随着反应的不断进行， 乙硅烷浓度很快达到最大值。 这些结果表明甲硅烷热分解中，乙硅烷是重要的中间产物 这 个观点由硅烷分解的定性流研究所证实，并且除了乙硅烷外， 尚有少量的丙硅烷和丁硅烷也是重要的中间产物。Stokland为