2017人教版高中物理选修(3-2)第六章第一节《传感器及其工作原理》.pptVIP

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【例】如图6-1-3所示为光敏电阻自 动计数器的示意图,其中R1为光敏电阻,R2 为定值电阻.此光电计数器的基本工作原理 是( ) 【特别提示】光敏电阻的阻值随光 照强度的增大而减小. A R1 R2 信号处理系统 A. 当有 光照射R1时, 信号处理系 统获得高电 压 B. 当有光照射R1时,信号处理系统获得 低电压 C. 信号处理系统每获得一次低电压就计 数一次 D. 信号处理系统每获得一次高电压就计 数一次 A R1 R2 信号处理系统 2. 热敏电阻 (1)材料:半导体 2. 热敏电阻 (1)材料:半导体 (2)特性: 热敏电阻的阻值会随着温度的升高 而______,具有负温度系数。 2. 热敏电阻 (1)材料:半导体 (2)特性: 热敏电阻的阻值会随着温度的升高 而______,具有负温度系数。 减小 2. 热敏电阻 (1)材料:半导体 (2)特性: 热敏电阻的阻值会随着温度的升高 而______,具有负温度系数。 减小 热敏电阻 R-T关系示意图 2. 热敏电阻 (1)材料:半导体 (2)特性: 热敏电阻的阻值会随着温度的升高 而______,具有负温度系数。 减小 热敏电阻 R-T关系示意图 R T O 2. 热敏电阻 (1)材料:金属热电阻是用金属做成的。 (2)特性:金属热电阻的阻值会随着温度的升 高而_______,具有正温度系数。 3. 金属热电阻 (1)材料:金属热电阻是用金属做成的。 (2)特性:金属热电阻的阻值会随着温度的升 高而_______,具有正温度系数。 增大 3. 金属热电阻 (1)材料:金属热电阻是用金属做成的。 (2)特性:金属热电阻的阻值会随着温度的升 高而_______,具有正温度系数。 增大 金属热电阻 R-T关系示意图 3. 金属热电阻 (1)材料:金属热电阻是用金属做成的。 (2)特性:金属热电阻的阻值会随着温度的升 高而_______,具有正温度系数。 增大 金属热电阻 R-T关系示意图 3. 金属热电阻 O R T (1)材料:金属热电阻是用金属做成的。 (2)特性:金属热电阻的阻值会随着温度的升 高而_______,具有正温度系数。 增大 金属热电阻 R-T关系示意图 热敏电阻和金属热电阻能够把_______ 这个热学量转换成为电阻这个电学量 3. 金属热电阻 O R T (1)材料:金属热电阻是用金属做成的。 (2)特性:金属热电阻的阻值会随着温度的升 高而_______,具有正温度系数。 增大 金属热电阻 R-T关系示意图 热敏电阻和金属热电阻能够把_______ 这个热学量转换成为电阻这个电学量 温度 3. 金属热电阻 O R T 电容式位移传感器能够把物体_____ 这个力学量转换为_______这个电学量。 4. 电容式位移传感器 电容器极板 x 电容式位移传感器示意图 电介质板 被测物体 电容式位移传感器能够把物体_____ 这个力学量转换为_______这个电学量。 位移 4. 电容式位移传感器 电容器极板 x 电容式位移传感器示意图 电介质板 被测物体 4. 电容式位移传感器 电容式位移传感器能够把物体_____ 这个力学量转换为_______这个电学量。 位移 电容 电容器极板 x 电容式位移传感器示意图 电介质板 被测物体 5. 霍尔元件 (1)材料:半导体; 如:砷化铟 5. 霍尔元件 (1)材料:半导体; 如:砷化铟 (2)工作原理图 5. 霍尔元件 霍尔元件大图 I F M N E UH B (1)材料:半导体; 如:砷化铟 (2)工作原理图 (3)霍尔电压: 5. 霍尔元件 霍尔元件大图 I F M N E UH B (1)材料:半导体; 如:砷化铟 (2)工作原理图 (3)霍尔电压: k为比例系数,称为霍尔系数其大小 与元件的材料有关。 5. 霍尔元件 霍尔元件大图 I F M N E UH B 一个霍尔元件的d、k为定值,再保 持I恒定,则UH 的变化就与B成正比。因 此霍尔元件又称磁敏元件。 霍尔元件能够把_____________这个 磁学量转换为________这个电学量。 一个霍尔元件的d、k为定值,再保 持I恒定,则UH 的变化就与B成正比。因 此霍尔元件又称磁敏元件。 霍尔元件能够把_____________这个 磁学量转换为________这个电学量。 磁感应强度 一个霍尔元件的d、k为定

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