红外探测器技术及进展定义红外探测器是一种红外辐射能的转换器.docxVIP

红外探测器技术及进展 [定义] 红外探测器是一种红外辐射能的转换器，是红外成像装置的关键部件，它把辐射能转换成另一种便于测量的能量形式，在多数情况下转换为电能。红外探测器是军用红外系统的核心部件，在导弹的红外成像制导和目标的探测跟踪等方面都起着相当重要的作用。它是红外系统的心脏，在红外技术发展中起着关键和主导的作用。 红外探测器大体可分为热敏型和量子型两种类型。具有灵敏度高、空间分辨率好、动态范围大、抗干扰能力强以及能在恶劣气候下昼夜工作等特点。 热敏型探测器的特点是：探测波段宽、能够在通常的环境温度下工作而不需要冷却，但是灵敏度低、响应速度慢。 量子探测器又可分为光电导探测器和光伏探测器。量子型探测器的灵敏度要比热敏型高1～2个数量级，响应速度也快，性能接近背景限制的红外性能极限。但军用的量子型探测器必须冷却。 [国外概况] 最初的红外探测器是温度计，后来出现了热电偶。红外技术差不多是在40年前才开始应用到防御系统上的。在红外技术的发展过程中，热敏探测器的发展较早，但发展的速度较慢，而量子探测器则是后来居上，发展很快。特别是二次世界大战期间和二次大战以后，出现了许多响应不同波段的量子探测器。近些年来，红外探测器技术发展迅速，从单元、多元、阵列发展到凝视焦平面阵。 量子型红外探测器的发展过程可分为三代，第一代是单元探测器，它和扫描镜的二维扫描相组合而得到图像。70年代，InSb和HgCdTe之类的半导体开始在红外技术中占据主导地位，主要用于制作单个探测器元件。 到八十年代中期，开始向第二代一维阵列多元探测器转移。它多数采用一维光电导型阵列探测器，以及与阵列方向成直角的一维机械扫描系统来获得二维图像，速度快，并能实时显示。 第三代是红外电荷耦合器件（IRCCD），根据其技术进展，可分为一维IRCCD和二维IRCCD。一维IRCCD必须采用机械扫描系统，但它不需要进行各探测元件的信号放大。二维IRCCD则完全不需要进行扫描，可靠性提高，实现了装置的小型化和单一化；读出也不再由分立的信号线产生，而是通过时间延迟和积分电路产生，这些电路必须置于传感元件阵列的焦平面内，故它们的组合称为红外电荷耦合器件焦平面阵列。在八十年代后期，红外探测器的发展重点是镶嵌凝视式阵列及大型阵列的应用，发展的重点是焦平面器件。 到了九十年代，开始了以GaAs系列、InP系列为中心的Ⅲ-Ⅴ族半导体多量子阱材料的设计技术，对量子阱等超晶格结构的红外探测器的研究也正在广泛开展。 另外，随着高温超导材料的出现和超导技术的进一步发展，超导红外探测器的前景十分乐观，它是根据约瑟夫(Josephson)效应而制成的新型红外探测器，灵敏度高、频率宽、噪音低。目前，国外在这方面的工作才刚刚起步。 在精确制导技术中，又致力于发展双色探测器及与10.6μm二氧化碳激光器配用的探测器。 美国在70年代初研制成工作波段为8～14 μm的三元红外敏感元件HgCdTe器件，70年代中期已研制出60元、120元、180元光导型通用组件，成品率高、可批量生产，80年代已推广应用于战术导弹武器系统中，目前主要发展方向是进一步提高成品率，降低成本。 尽管国外60－180元线阵器件已达到实用化和工程化，但70年代后期，欧美各国已将研究重点转移到光伏型HgCdTe焦平面阵探测器，1987年美国国防部提出了红外焦平面阵列生产倡议，目的是促进红外焦平面阵探测器的可生产性和可采购性，以满足90年代精确制导武器的需求。在美国国防部向国会提交的1989年度22项关键技术计划的报告中，HgCdTe与GaAs一起名列第二。目前以混合式IRCCD为主攻方向，中波红外InSn焦平面阵列器件已研制出256×256元，长波红外HgCdTe焦平面阵器件已研制出64×64元。红外焦平面阵探测器有凝视式和扫描式两种，前者通过光学系统把红外能量聚焦在其适当的位置上，导弹电脑系统处理每个探测器的输出，以构成一幅完整图象；后者与电视一样按顺序扫描，提取目标红外信息，以构成一幅完整图象。 在整个八十年代里，红外探测器的发展重点是镶嵌凝视式阵列及大型阵列的应用。发展重点是HgCdTe，当前英国人发明的Sprite器件和美国的红外CCD器件以及64×128元的硅肖特基势垒器件已在试验阶段，正往64×64，128×128，256×256元的方向发展。16×16元的钛酸铅热电CCD已经制成并向100×100元方向发展。 目前在军事上颇有发展前途的红外探测器有HgCdTe红外探测器、PtSi红外探测器、GaAs红外探测器和双色红外探测器等。 红外探测器组件是热成像系统的核心，它的工作性能直接决定着热像仪成象质量。要使它们在如此低温下正常工作，就必须将其安装在杜瓦瓶中，否则，会造成探测器的污染及在低温下结霜。