第04章场效应管.ppt

场效应管与三极管性能比较 项目 ? 器件 电极名称 工作区 导电 类型 输入电阻 跨导 三 极 管 e极 b极 c极 放大区 饱 和 区 双极型 小 大 场效应管 s极 g极 d极 饱和区 非饱和区 单极型 大 小 退出 N沟道EMOS管GD相连?构成有源电阻 4.3.1 有源电阻 4.3 场效应管应用原理 v = vDS= vGS， i = iD 由图知 满足 vDS vGS –vGS(th) 因此 当 vGS vGS(th) 时 N沟道EMOS管?工作在饱和区。 伏安特性： iD vGS VQ IQ Q 直流电阻： （小） 交流电阻： （大） T v i + - + - v R i 退出 N沟道DMOS管GS相连?构成有源电阻 v = vDS ，vGS =0 ，i = iD 由图 因此，当 vDS 0 –vGS(th)时，管子工作在饱和区。 伏安特性即vGS = 0 时的输出特性。 由 得知 当vGS =0 时，电路近似恒流输出。 iD vDS VQ IQ Q -VGS(th) vGS=0 T v i + - + - v R i 退出 有源电阻?构成分压器 若两管?n 、 COX 、VGS(th)相同，则 联立求解得： T1 V1 I1 + - I2 V2 + - VDD T2 由图 I1 = I2 V1 + V2 = VDD V1 + V2 = VDD 调整沟道宽长比（W/l），可得所需的分压值。 退出 【例1】 求图示电路压控电阻，设R1＝R2 。 解： 当R1＝R2时，则 * * * MOS管高频小信号电路模型 当高频应用、需计及管子极间电容影响时，应采用如下高频等效电路模型。 gmvgs rds g d s id vgs - vds + + - Cds Cgd Cgs 栅源极间平板电容 漏源极间电容（漏衬与源衬之间的势垒电容） 栅漏极间平板电容 退出 场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。 4.1.5 MOS管电路分析方法 场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，一定要注意自身特点。 估算法 退出 MOS管截止模式判断方法 假定MOS管工作在放大模式： 放大模式 非饱和模式（需重新计算Q点） N沟道管：VGS VGS(th) P沟道管：VGS VGS(th) 截止条件 非饱和与饱和（放大）模式判断方法 a)由直流通路写出管外电路VGS与ID之间关系式。 c)联立解上述方程，选出合理的一组解。 d)判断电路工作模式： 若|VDS| |VGS–VGS(th)| 若|VDS| |VGS–VGS(th)| b)利用饱和区数学模型： 退出 例1 已知?nCOXW/(2l)=0.25mA/V2，VGS(th)= 2V, 求ID 解： 假设T工作在放大模式 VDD (+20V) 1.2M? 4k? T S RG1 RG2 RD RS 0.8M? 10k? G ID 带入已知条件解上述方程组得： ID= 1mA VGS= 4V 及 ID= 2.25mA VGS= -1V （舍去） VDS= VDD-ID （RD + RS）= 6V 因此 验证得知： VDS VGS–VGS(th) ， VGS VGS(th)， 假设成立。 退出 【例2】 已知VDD=18V，Rs=1 kΩ，Rd=3 kΩ，Rg=3 MΩ，耗尽型MOS管的VP= -5 V，IDSS=10 mA。试用估算法求电路的静态工作点。 解： 不合题意，舍去。 退出 【例3】 解： 栅极回路有: 设VDD=15V ， Rd=5 kΩ ， Rs=2.5 kΩ ， R1=200 kΩ，R2=300 kΩ，Rg=10 MΩ，RL=5 kΩ，并设电容C1、C2和Cs足够大。试用图解法分析静态工作点Q，估算Q点上场效应管的跨导gm。 由图可得VGSQ=3.5V，IDQ=1mA。 退出 输出回路列出直流负载线方程： VDS=VDD-ID(Rd+Rs)=15-7.5ID 由转移特性得:开启电压VT=2V； 当VGS=2VT=4V时，ID=IDO=1.9mA。 由图可求得静态时的VDSQ=7.5V。 或直接由图得： 退出 小信号等效电路法 场效应管小信号等效电路分法与三极管相似。 利用微变等效电路分析交流指标。 画交流通路 将FET用小信号电路模型代替 计算微变参数gm、rds 退出 共源放大器 共源、共栅和