第1章绪论+半导体器件.pptVIP

耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能 夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS UGS（OFF） 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 UGS0 UGS=0 m uGS ? iD g ? = 跨导 思考题 1、晶体管放大的内部条件和外部条件是什么？ 2、晶体管有哪些工作状态？ 3、晶体管为什么可作为开关元件使用？ 4、温度对晶体管的性能参数有什么影响？ 5、怎样用万用表判别晶体管的类型和管脚？ 6、增强型MOS管与耗尽型MOS管有何区别？ 7、为什么说MOS管是单极型器件？跨导指什么？ 习题：P23 1.11; 1.12 ; 1.16 * * * * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * * PASS * PASS * PA * PASS * PASS * PASS * PASS * * PASS * 第3节 稳压二极管 U 稳压误差 I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ + - 曲线越陡， 电压越稳定。 特点： 1、通常工作在反向击穿区； 2、反向击穿特性较陡。 伏安特性 主要参数 1、稳定电压 UZ； 2、稳定电流IZ；最大稳定电流IZM； 3、电压温度系数CTU（± %/℃）； 4、最大允许功耗PZM=UZIZM； 5、动态电阻RZ；越小输出电压越稳定。 I RL R 整流滤波电路 ~220V UZ I IL IZ Ui 限流电阻R =？ I 并联稳压电路 电流调节：DZ 电压调节： R 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 正向电压比较大 光电耦合器 电 ?光?电 特点：输入与输出电气绝缘 作用：抗干扰、隔噪声 应用举例： ~220V +5V 思考题 1、本征半导体是如何导电的？ 2、N型半导体中的多数载流子是什么？P型半导体呢？ 3、多数载流子与什么有关？少数载流子呢？ 4、PN结加什么电压使空间电荷区变窄？有利于什么运动？ 5、稳压二极管与普通二极管的区别在哪里？ 6、二极管的死区电压是什么的反映？ 7、半导体器件的性能为什么受温度的影响比较大？ 8、什么叫PN结的单向导电性？ 9、怎样用万用表判断二极管的极性？ 10、二极管能否起稳压作用？如能，举例说明。 P22：1.3 ； 1.4 ；1.5 1.6； 1.7; 1.9 第4节 晶体三极管 一. 基本结构、分类、符号 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 晶体管放大的外部条件： 发射结加正向电压；集电结加反向电压。 晶体管放大的内部条件： B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 集电结 发射结 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 二. 晶体管的电流放大作用 B E C N N P Ec IE IBE EB RB IC IB 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC/IB=β= β IB+IC=IE B E C IB IE IC PNP型三极管 B E C IB IE IC NPN型三极管 放大区电压和电流实际方向 三、 晶体管的特性曲线 实验线路 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V 锗管UBE?-0.2~ -0.3V 死区电压，硅管0.7V，锗管0.3V。 1、输入特性（同二极管） IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 当UCE大于一定的数值时，IC基本只与IB有关，IC=?IB。 2、输出特性 条件：发射结正偏,集电结反偏。 功能：放大 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 线性放大区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCES?0.3V称为饱和区。 条件： 发射结正偏 集电结正偏 功能： RCE≈ 0 近似电子开关接通 饱和区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 :