第三章 场效应管放大电路.pptx

; 场效应晶体管利用输入电压影响导电沟道的形状，进而控制输出电流。;N沟道;以N 沟道增强型为例;SiO2;RD;SiO2; 二、N沟道增强型MOS管的基本工作原理; 二、N沟道增强型MOS管的基本工作原理;设;设;设;栅源电压起着建立导电沟道的作用。;因栅极输入电流极小，故常用的特性曲线为输出特性曲线和转移特性曲线。;可变电阻区;三、N沟道增强型MOS管的伏安特性曲线;可变电阻区;可变电阻区;三、N沟道增强型MOS管的伏安特性曲线;2.转移特性曲线;2.转移特性曲线;饱和区内，过大的漏源电压所产生的击穿与输出特性曲线上的击穿区对应。;在MOS管工作时，漏区、源区、导电沟道与衬底之间的PN结不应出现正向导通情况，否则管子不能正常工作。;分立元件中，衬底B一般与源极S相连。在集成电路中，由于所有元件为同一衬底，为保证所有元件的沟道与衬底间的隔离，导电沟道与衬底之间所形成的PN结必须反偏，也即N沟道MOS管的 。所以，开启电压和转移特性曲线右移。;P沟道管的结构和原理与N沟道管类似。;应注意特性曲线图中电流、电压的方向。;耗尽型MOS管在栅源零偏时即已存在导电沟道。; 时已有导电沟道，故 时即有漏极电流产生。;沟道变宽。;3.1.2 耗尽型MOS场效应管;：夹断电压;也会产生预夹断和漏极电流饱和的情况。;可变电阻区;;若考虑沟道长度调制效应,在恒流区;P沟道型管的特性可与之类比;结型场效应管的结构;结型场效应管存在着内建初始导电沟道，这一点与耗尽型管类似。;一、栅源电压vGS对管子工作的影响;一、栅源电压vGS对管子工作的影响;一、栅源电压vGS对管子工作的影响;时;时;时;三、结型场效应管的特性曲线;;;2、转移特性曲线;1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍不够高。;综上分析可知;增强型MOS管象双极型三极管一样有一个开启电压VGS(th) (VT)，（相当于三极管死区电压）。;VDMOS和IGBT管自学;分析场效应管放大电路的要点;3.4.1 场效应管的模型;瞬态模型;二、MOS场效应管的微变信号模型;饱和区低频微变信号模型;饱和区低频微变信号模型（源极与衬底短连）;恒流区低频微变信号模型;3.4.1 场效应管的模型;3.4.1 场效应管的模型;所谓偏置，就是给器件加一定的电压(或电流)，使其工作点偏离原点，以便器件能够在电路中按照人们的要求工作。对于放大运用来说，器件应工作于放大(恒流，饱和)区。;IDQ;IDQ;管子状态的分析过程与三极管类似，即先假定管子处于饱和（恒流）状态并展开分析看结果是否一致。;二、自偏压电路;偏置电阻对交流信号有损耗作用，也降低了放大电路的输入电阻。;在集成电路中，本级放大电路的输入端直流偏置通常由前级电路的输出提供。;3.4.3 场效应管基本放大电路;s;3.4.3 场效应管基本放大电路;二、共栅放大电路;三、共漏放大电路;1、中频小信号模型;2、电压增益;所以;;T2管的 ，保证其工作在饱和区;设;为了提高集成度，通常用有源电阻代替一般电阻;T3、T4特性相同;三管均工作在饱和区;在工作点处DS之间的直流电阻为;小信号动态电阻可通过在Q点处切线的斜率求得。;一、MOS管有源电阻;一、MOS管有源电阻;放大管与负载管均为增强型MOS管的放大电路称为E/E型放大电路。;以增强型MOS管(称为E管)作为放大管，耗尽型MOS管(称为D管)作为负载管的放大电路称为E/D放大电路。;四、CMOS共源放大电路;四、CMOS共源放大电路;场效应管差分放大电路的形式、基本特性及分析方法与BJT差放一样。;一、MOS管基本差分放大电路;1、差模微变增益;MOS管差放的传输特性与三极管类似。;共模交流通路：;二、MOS管有源负载差分放大电路;以电流源作为有源负载的CMOS差放。;以镜像电流源作为有源负载的CMOS差放。;用于控制信号的通断。;实际的模拟开关是由工作在开关状态的晶体管或场效应管组成，外加控制电压使晶体管交替工作在饱和区和截止区，或使场效应管交替工作在可变电阻区和截止区。;由于N沟道MOS管的导通电阻小，单管模拟开关一般使用NMOS管。;为使开关能正常工作，MOS管各极之间的电压必须满足一定条件。;单管MOS开关的缺点： 在开关的接通状态，接通电阻随输入信号变化较大。;3.5.2 CMOS模拟开关;二、CMOS模拟开关;由CMOS传输门(T1、T2)和CMOS反相器(T3、T4)组成。T1、T2两管的栅极施加反相的控制信号，使之开关工作。;CMOS模拟开关的应用???例;作业