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第四章 场效应管放大电路 场效应管的种类 结型场效应管——结构 结型场效应管——符号（1） 结型场效应管——符号（2） 结型场效应管工作原理 结型场效应管特性曲线（P沟道） 结型场效应管特性曲线（N沟道） JFET转移特性方程（N沟道） 结型场效应管的参数（1） 结型场效应管的参数（2） 结型场效应管的缺点 绝缘栅场效应管——结构与符号 绝缘栅场效应管工作原理 增强型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 各种场效应管的特性比较 场效应管放大电路 静态分析(1) 静态分析(2) 场效应管的微变等效电路 场效应管的共源极放大电路 场效应管的共漏极放大电路 场效应管放大电路小结 本章基本要求 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 看一看 P237 表5.5.1 试一试 P249 5.1.1 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： 自偏压电路： d g s UDD=20V uo RS ui CS C2 C1 RD Rg RL 10M 10k 10k 10k 缺点：不适用于增强型FET。 分压器式自偏压电路： d g s UDD=20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 47k 10M 10k 10k 10k G S D 跨导 漏极输出电阻 uGS iD uDS 很大， 可忽略。 G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds 一、静态分析 求：UDS和 ID。 设：UGUGS 则：UG?US 而：IG=0 所以： UDD=20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k uo UDD=20V RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k 二、动态分析 s g R2 R1 RG RL d RL RD 微变等效电路 s g R2 R1 RG RL d RL RD ro=RD=10k? uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G 一、静态分析 US?UG UDS=UDD- US =20-5=15V * * 电子技术 第四章 场效应管 模拟电路部分 §4.1 结型场效应管 §4.3 金属氧化物半导体场效应管 §4.4 场效应管放大电路 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管 JFET 绝缘栅型场效应管 MOSFET 场效应管有两种: N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端，PN结反压越大 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP时 N N 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP时 N N 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID UGS 0 ID IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电