GB/T 20229-2006磷化镓单晶.pdf

ICS 29. 045 H 83 中华人民共和国国家标准 GB/T 20229—2006 磷化稼单晶 Gallium phosphide single crystal 2006-04-21 发布 2006-10-01 实施 发布 GB/T 20229—2006 -XX. — 1— 刖 s 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由信息产业部 （电子）归口。 本标准起草单位 ：中国电子科技集团公司第十三研究所。 本标准主要起草人:孙聂枫、周晓龙、孙同年。 I GB/T 20229—2006 磷化掾单晶 1范围 本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化稼单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验 规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化傢单晶材料(以下简称单晶)。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828(所有部分)计数抽样检验程序 GB/T 4326非本征半导体单晶霍耳迁移率和霍耳系数测量方法 GB/T 6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GJB 3076磷化傢单晶片规范 3要求 3. 1牌号 磷化傢单晶的牌号表示方法为： HPLEC-GaP-^ ()-() . 表示晶向 表示导电类型，括号内的兀素符号表示掺杂剂 表示磷化傢单晶 表示咼压液封直拉法 示例:HPLEC-GaP-N(S)-dll),表示高压液封直拉法掺硫n型(111)晶向磷化傢单晶。 3.2磷化铸单晶锭特性 3. 2. 1磷化傢的导电类型为n型。 3.2.2磷化傢单晶锭的掺杂剂、霍耳迁移率和电阻率应符合表1的规定。 表 1磷化镌单晶的导电类型、掺杂剂 、电学参数 载流子浓度/ 迁移率/ 电阻率/ 导电类型 掺杂剂 cm- [cm2/( V • s)] (Q ・ cm) S 2X10〜8X10M 100 101〜心 掺杂n型 Te 2X1O17 〜8X10 100 10~103 非掺n型 — 0. 5X1017 〜2X10 1