等离子体物理与当代高新技术(本科生).pptVIP

等离子体是物质第四态 恒星、恒星系、星际空间 在实验里，可以通过气体放电来产生辉光等离子体 2、气体放电的类型 （1）DC glow discharges（直流辉光放电） （2）RF glow discharges （射频辉光放电） （3）Microwave discharges （微波放电） （4）Atmospheric-pressure discharges （大气压放电） 1、DC glow discharges plasma 等离子体 阳极 阴极 直流电源 Target atom 2、 Radio-frequency discharges (a) 平行板容性耦合 RF power plasma Capacitively-coupled plasmas (CCP) 容性耦合等离子体中的射频电场性质同静电场，旋度为零，电场的方向垂直于电极面，具有纵向场的特点。 容性耦合放电装置类似于一个电容器，放电区是一个“三明治”结构，即“鞘层/等离子体/鞘层”。射频电压主要降落在阻抗较大的等离子体鞘层区内。 电场随时间是周期性变化的。电子在周期性电场的作用下，不断改变运动方向，即与中性原子的碰撞几率高。因此，与直流辉光放电相比，射频放电等离子体密度较高。 在早期的容性耦合放电中，为单频电源驱动放电，而且电源的频率为 f=13.56MHz。第一代等离子体刻蚀源。 最近几年，出现的双频电源驱动放电，两个电源的频率不同，如： 60/2 MHz，27/2 MHz。两个电源可以施加在同一个电极或不同的电极。 (b) 感应耦合 　　平面线圈耦合的ICP Lam TCP 9400SETM plasma etching system ICP source with planar coils 与容性耦合放电不同，感性耦合等离子体中的射频电场为涡旋场，而且有感应磁场。 放电区分为趣肤层区和等离子体区。 同样，电场随时间是周期性变化的。可以在低气压（mTorr) 下放电。感应耦合放电等离子体密度更高。 应用： 1）第二代等离子体刻蚀源 (金属或半导体）。 2）沉积薄膜； 3）等离子体源离子注入，材料表面改性； 4）等离子体推进； 5）负离子源 射频偏压 微波 线圈 共振带 射频偏压 微波 线圈 共振带 3、 Microwave ECR discharges Electron cyclotron resonance (ECR) B E 右旋极化电场: E= Ereiwt ef 电子绕磁力线做回旋运动的方向与右旋极化电场的方向一致回旋频率为： wce=eB/me 通过调整线圈的位置，即磁场在放电室的轴向分布，使得回旋频率wce在轴向某一位置上等于微波电场的极化频率w w=wce 则发生电子回旋共振。一般地，微波的频率为2.45GHz, 则对应的磁场为875G。 三、等离子体的基本特性 1、成分的复杂性 对于等离子体合成薄膜及等离子体刻蚀等工艺过程，通常采用一些化学活性的气体作为工作气体。这些气体电离后含有丰富的粒子种类，如电子、离子、原子、分子、离子团、活性基团及光子。 2、荷能性 等离子体中的电子、离子及中性粒子均是携带能量的。 ? 在低气压等离子体中，电子的温度约为几个电子伏特，离子和中性粒子的温度约为几百度，即： Te~ 几个 eV；Ti ? Ta~室温 ? 当在基片上施加负偏压时，鞘层区的离子能量很高，取决与施加的偏压。 ? 对于电弧等离子体，整体荷能，电子温度和离子温度均在上万度。 3、开放性 （1）为了维持放电或控制Plasma 的形态，通常施加外电磁场。如：微波电磁场、射频感应耦合电磁场、静磁场等。 （2）对于等离子体工艺过程，放电时要不断进气和抽气。工作气体的密度要改变。 （3）采用探针、微波、激光等方法对等离子体进行诊断时，这些外来的“探针”要影响等离子体的状态。 4、空间非均匀性及时间瞬变性 空间非均匀性： ? 放电装置的空间尺度有限 ? 器壁、电极、基片附近的等离子体 宏观体现：扩散、热传导、粘滞等 时间的瞬变性：放电的初期，变化的外电磁场。 外加电压 两电极之间的气体激发 5、准电中性： 宏观上不显电性，即电子密度近似地离子密度 对于工艺上所使用的等离子体，除了电子外，还有不同种类的正离子和负离子，则